采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4100YM
上升时间：400ns
驱动通道数：2
下降时间：400ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~16V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5109BMA/NOPB
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：2147}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6615IRZ
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：970psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7212CSZ
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5111-1M/NOPB
上升时间：14ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：3.5V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM74104MA/NOPB
上升时间：600ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423D
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2811P
上升时间：14ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：4900}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6615AIRZ
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL2111ABZ
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：7.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2832D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28225D
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~8.8V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5111-2M/NOPB
上升时间：14ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：3.5V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL89164FRTBZ
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1711
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5101AMR/NOPB
上升时间：430ns
驱动通道数：2
下降时间：260ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21531DPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5109AMA/NOPB
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423P
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21531DPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：14900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282D
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7212CNZ
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
