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品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIATR
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1711
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIATR
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIATR
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIA
上升时间：9ns
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIATR
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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