销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTRQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BMA/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTRQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):980psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL2111ABZ
上升时间:9ns
驱动通道数:2
下降时间:7.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL2111ARTZ-T
上升时间:9ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5105SDX/NOPB
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5105SDX/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5106MMX/NOPB
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0507AFN-7
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109AMA/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTTQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0507AFN-7
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):960psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL78420AVEZ
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5106MMX/NOPB
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109AMAX/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0507AFN-7
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):960psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL78420AVEZ
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BMAX/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0506AFN-7
上升时间:17ns
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):980psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL2111ABZ
上升时间:9ns
驱动通道数:2
下降时间:7.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109ASD/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BSDX/NOPB
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5105SDX/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL78420AVEZ-T7A
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0506AFN-7
上升时间:17ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5106MMX/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL2111ARTZ-T
上升时间:9ns
驱动通道数:2
下降时间:7.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):980psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL2111ABZ
上升时间:9ns
驱动通道数:2
下降时间:7.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BMA/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):980psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL2111ABZ
上升时间:9ns
驱动通道数:2
下降时间:7.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: