销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427COA713

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427COA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GLPTR-5-T

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1426COA713

上升时间：35ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1426CPA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：VOD3120AB-T

上升时间：35ns

驱动通道数：1 Driver

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~+105℃

负载类型：IGBT， MOSFET Gate Drivers

驱动配置：High-Side， Low-Side

包装方式：Reel

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GLPTR-T

上升时间：35ns

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1426COA713

上升时间：35ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GLPTR-5-T

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：VOD3120AD-V

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1 Driver

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~+105℃

负载类型：IGBT， MOSFET Gate Drivers

驱动配置：High-Side， Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427COA

上升时间：35ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1428CPA

上升时间：35ns

驱动通道数：2 Driver

下降时间：25ns

工作温度：0℃~+70℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~16V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：VOD3120AD-V

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1 Driver

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~+105℃

负载类型：IGBT， MOSFET Gate Drivers

驱动配置：High-Side， Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1428CPA

上升时间：35ns

驱动通道数：2 Driver

下降时间：25ns

工作温度：0℃~+70℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~16V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GETTR-T

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2231S12TXUMA1

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：13V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GETTR-T

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1427CPA

上升时间：35ns

驱动通道数：2 Driver

下降时间：25ns

工作温度：0℃~+70℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~16V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GETTR-5-T

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~+105℃

负载类型：MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：低边；高边

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1428CPA

上升时间：35ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4425VPA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2 Driver

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GLPTR-3-T

上升时间：35ns

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：A4919GETTR-T

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：5.5V~50V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1