销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7388MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73893MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1ED44176N01FXUMA1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：1.75A

电源电压：12.7V~20V

峰值灌电流：800mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1EBN1001AEXUMA1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：90ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

电源电压：13V~18V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7389MX1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7888MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73892MX

上升时间：50ns

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6384ED013TR

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-45℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：14.6V~16.6V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6386ED

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2836D

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2.7A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7389MX1

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2830PWPR

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2.7A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：18，"06+"：81}

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：5962-0051401VPA

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2 Driver

下降时间：50ns

工作温度：-55℃~+125℃

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73896MX

上升时间：50ns

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73895MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1ED44176N01FXUMA1

上升时间：50ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：1.75A

电源电压：12.7V~20V

峰值灌电流：800mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6384ED

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-45℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：14.6V~16.6V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6385ED

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7388MX

上升时间：50ns

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：26575，"MI+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7388MX

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS2832D

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2.7A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7385MX

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6387ED013TR

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-45℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73833MX

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：11V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1