采购热线 400-6619-010
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN120JDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GP120J
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：7.04nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：PT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GT120JU2
包装方式：散装
输入电容：5.34nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT25GN120SG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：280ns
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：155nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
输入电容：7.2nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，100A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：FS(场截止)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40GT60BRG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：124ns
关断损耗：828µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：200nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，40A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40GT60BRG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：124ns
关断损耗：828µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：200nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，40A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：140A
开启延迟时间：16ns/95ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：150nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V @ 15V，35A
导通损耗：750µJ（开），680µJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：3.9V@15V，45A
关断延迟时间：100ns
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：185nC
类型：PT(穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：75A
开启延迟时间：22ns/280ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：155nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V @ 15V，25A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：3.9V@15V，15A
关断延迟时间：33ns
开启延迟时间：9ns
集电极截止电流(Ices)：900V
栅极电荷：60nC
类型：PT(穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：50A
开启延迟时间：9ns/28ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：55nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V @ 15V，13A
导通损耗：115µJ（开），165µJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：3.9V@15V，35A
关断延迟时间：94ns
开启延迟时间：16ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：150nC
类型：PT(穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：3.7V@15V，50A
关断延迟时间：230ns
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：340nC
类型：NPT(非穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：140A
开启延迟时间：16ns/95ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：150nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V @ 15V，35A
导通损耗：750µJ（开），680µJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTGT200DU120G
包装方式：散装
输入电容：14nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN60BDQ2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：225A
关断延迟时间：385ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：2.14mJ
开启延迟时间：47ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：485nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.85V@15V，75A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20GN60BDQ2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：140ns
反向恢复时间：30ns
关断损耗：580µJ
开启延迟时间：9ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：120nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，20A
导通损耗：230µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN60SDQ2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：225A
关断延迟时间：385ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：2.14mJ
开启延迟时间：47ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：485nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.85V@15V，75A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT65GP60L2DQ2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：250A
关断延迟时间：90ns
关断损耗：895µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：210nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，65A
导通损耗：605µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT200GN60J
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50GN60BDQ2G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：230ns
关断损耗：1565µJ
开启延迟时间：20ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：325nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.85V@15V，50A
导通损耗：1185µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTGT200A120G
包装方式：散装
输入电容：14nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT45GP120JDQ2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：PT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT85GR120B2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：340A
关断延迟时间：300ns
关断损耗：3.8mJ
开启延迟时间：43ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：660nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.2V@15V，85A
导通损耗：6mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT100GN120B2G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：615ns
关断损耗：9.5mJ
开启延迟时间：50ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：540nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，100A
导通损耗：11mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT25GR120B
包装方式：散装
集电极脉冲电流(Icm)：100A
关断延迟时间：122ns
关断损耗：427µJ
开启延迟时间：16ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：203nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.2V@15V，25A
导通损耗：742µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
输入电容：4.8 nF @ 25 V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V @ 15V，75A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40GT60BRG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：124ns
关断损耗：828µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：200nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，40A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.7V@15V，65A
关断延迟时间：91ns
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：210nC
类型：PT(穿通型)
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
