首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    栅极电荷
    118 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 42nC@10V 41 nC @ 10 V 4.1 nC @ 4.5 V 104nC@10V 19.4nC@10V 14.5nC@10V 37 nC @ 10 V 14.3nC@10V 39nC@10V 10.7nC@10V 90nC@10V 92nC@10V 18.8nC@10V 9.4nC@10V 12nC@10V 79nC@10V 13nC@10V 5.5 nC @ 4.5 V 400pC@4.5V 31nC@10V 27 nC @ 10 V 40nC@10V 118nC@10V 4.1nC@4.5V 9.6nC@4.5V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 15.23nC@4.5V 4 nC @ 4.5 V 14nC@4.5V 154nC@10V 53nC@4.5V 5.1 nC @ 4.5 V 5.5nC@4.5V 6.4nC@4.5V 15nC@4.5V 23nC 6.1nC@10V 139 nC @ 10 V 34nC@10V 67 nC @ 10 V 23nC@10V 25 nC @ 4.5 V 28nC@10V 11.2nC@4.5V 18nC@10V 55 nC @ 10 V 23nC@4.5V 24nC @ 10V 50 nC @ 10 V 62nC@10V 87nC@10V 12.6 nC @ 10 V 21nC 12nC@4.5V 4.5nC@4.5V 77 nC @ 10 V 37nC@10V 4nC@4.5V 73nC@10V 7.8nC@4.5V 16.6 nC @ 10 V 33nC @ 10V 8nC@10V 9.5nC@10V 16.4nC @ 10V 105 nC @ 10 V 67nC@10V 18nC @ 10V 12.5nC@4.5V 74nC@10V 15nC@10V 22.4 nC @ 10 V 8.2nC@10V 53 nC @ 4.5 V 105nC@10V 114nC@10V 41nC@10V 10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V 6.1 nC @ 10 V 139nC@10V 19.5nC@4.5V 7nC@5V 25nC@10V 9.4 nC @ 10 V 77nC@10V 160nC@10V 0.91nC @ 4.5V 12.5 nC @ 4.5 V 19nC@10V 56nC@10V 104 nC @ 10 V 24.5nC@10V 20nC@10V 7.7nC@4.5V 9.4nC @ 10V,9nC @ 10V 27nC@10V 32nC@10V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 680pC@4.5V 7.12nC@10V 10nC@10V 27nC@4.5V 29.3nC@10V 8.4nC@10V 7.5nC@4.5V 36nC@10V 11.1 nC @ 4.5 V 25nC@4.5V 55nC@10V 47nC@10V 7nC @ 4.5V,11nC @ 4.5V 17nC @ 10V 2nC@10V 19.5 nC @ 4.5 V 49nC@10V 16.6nC@10V 9nC@4.5V 7.6nC@10V 22.4nC@10V 50nC@10V 29nC@10V 18.09 nC @ 10 V 9.3nC@10V 43nC@10V 16nC@10V 24nC@10V 8.9nC@4.5V 48nC@10V 21.4nC@10V 16.4nC@10V 4.3nC@4.5V 12.6nC@10V 9.6nC@10V 28.5nC@10V 20nC @ 4.5V 1.9nC@10V 14.4nC@10V 11.1nC@4.5V 9.8nC@4.5V€9.1nC@4.5V 24nC@4.5V 12.3nC@4.5V 1.65nC@10V 25.4nC@10V 44.5nC@10V 13.46nC@10V 0.68nC@4.5V 0.4nC@4.5V 18.09nC@10V
    反向传输电容
    品牌: Taiwan Semiconductor
    当前匹配商品:1600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8568CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@15V€1089pF@15V

    连续漏极电流:15A€13A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSG65N068CE RVG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSG65N068CE RVG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSG65N068CE RVG

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM9435CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551.57pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX6 RFG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX6 RFG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM240N03CX6 RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4224pF@20V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4224pF@20V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:257.3pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB041PW C1G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB041PW C1G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB041PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6120pF@100V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@21.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1454pF@30V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@20V

    连续漏极电流:141A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:35A

    类型:MOSFET

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4925DCS RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4925DCS RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧