采购热线 400-6619-010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：330pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@30V
导通电阻：100mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：535pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：36pF@15V
导通电阻：27mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：34W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4Ω@10V，1A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：3.81nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：3.81nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：3.81nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
