品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:767pF@10V
连续漏极电流:8.5A€7A
类型:N和P沟道
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:270mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1030UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.36W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1003pF@6V€1028pF@6V
连续漏极电流:5.1A€3.9A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1372pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040LTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@20V
连续漏极电流:5.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4004LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:82.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4508pF@20V
连续漏极电流:26A€90A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.81W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4036LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4051LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:51mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:6.8A€4.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LDV-7
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1184pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2710UVQ-7
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: