采购热线 400-6619-010
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI070P04PQ-AQ
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI068P04D1-AQ
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI070P04PQ-AQ
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3.538nF@20V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：7 nC @ 10 V
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI070P04PQ-AQ
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI070P04PQ-AQ
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：7 nC @ 10 V
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：23.3pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
