采购热线 400-6619-010
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：2.7V@5mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1272pF@1000V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R20MT12N
工作温度：-55℃~175℃
功率：365W
阈值电压：2.69V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：219nC@15V
包装方式：管件
输入电容：5873pF@800V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@60A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12J
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.7V@5mA
栅极电荷：23nC@15V
包装方式：管件
输入电容：724pF@800V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R60MT07J
ECCN：EAR99
包装方式：管件
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：2.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1272pF@1000V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：365W（Tc）
阈值电压：2.69V @ 15mA
栅极电荷：219 nC @ 15 V
输入电容：5873 pF @ 800 V
连续漏极电流：105A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 60A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：128W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 5mA（标准）
栅极电荷：23 nC @ 15 V
输入电容：724 pF @ 800 V
连续漏极电流：19A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：208 毫欧 @ 10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：74W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 2mA
栅极电荷：21 nC @ 20 V
输入电容：238 pF @ 1000 V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.2 欧姆 @ 2A，20V
漏源电压：3300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：333W（Tc）
阈值电压：2.69V @ 10mA
栅极电荷：106 nC @ 15 V
输入电容：2929 pF @ 800 V
连续漏极电流：71A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：48 毫欧 @ 35A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：74W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 2mA
栅极电荷：21 nC @ 20 V
输入电容：238 pF @ 1000 V
连续漏极电流：4A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.2 欧姆 @ 2A，20V
漏源电压：3300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：438W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 8mA
栅极电荷：182 nC @ 15 V
输入电容：4523 pF @ 1000 V
连续漏极电流：61A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：58 毫欧 @ 40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：438W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 8mA
栅极电荷：182 nC @ 15 V
输入电容：4523 pF @ 1000 V
连续漏极电流：61A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：58 毫欧 @ 40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：438W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 8mA
栅极电荷：182 nC @ 15 V
输入电容：4523 pF @ 1000 V
连续漏极电流：61A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：58 毫欧 @ 40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：420mΩ@4A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：175W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 5mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
输入电容：1272 pF @ 1000 V
连续漏极电流：21A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：208 毫欧 @ 12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：175W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 5mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
输入电容：1272 pF @ 1000 V
连续漏极电流：21A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：208 毫欧 @ 12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：365W（Tc）
阈值电压：2.69V @ 15mA
栅极电荷：219 nC @ 15 V
输入电容：5873 pF @ 800 V
连续漏极电流：105A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 60A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：333W（Tc）
阈值电压：2.69V @ 10mA
栅极电荷：106 nC @ 15 V
输入电容：2929 pF @ 800 V
连续漏极电流：71A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：48 毫欧 @ 35A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：333W（Tc）
阈值电压：2.69V @ 10mA
栅极电荷：106 nC @ 15 V
输入电容：2929 pF @ 800 V
连续漏极电流：71A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：48 毫欧 @ 35A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：123W（Tc）
阈值电压：2.69V @ 5mA
栅极电荷：28 nC @ 15 V
输入电容：730 pF @ 800 V
连续漏极电流：22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：192 毫欧 @ 10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
