品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT40M35JVR
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:4V@5mA
栅极电荷:1065nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20160pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@46.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75M50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@37A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@2mA
包装方式:袋
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT12060LVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:650nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@10A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT65GP60L2DQ2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):250A
关断延迟时间:90ns
关断损耗:895µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:210nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.7V@15V,65A
导通损耗:605µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3525N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3545N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@150mA,0V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3535N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP3203N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:650mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2410L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:730mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: