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    栅极电荷
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4.5 V 78nC@10V 1.6nC@4.5V 600pC@4.5V 29.6nC@10V 19.1 nC @ 4.5 V 33.9nC@10V 35nC@10V 12 nC @ 5 V 45nC@10V 5 nC @ 4.5 V 7.7 nC @ 4 V 9nC@4.5V 34.3nC@10V 12nC@5V 33nC@4.5V 22.6nC @ 5V 50nC@10V 7.8nC@10V 1.14nC @ 4.5V 7.2nC@10V 28 nC @ 10 V 92 nC @ 5 V 188nC@10V 30.2nC@5V 13 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 28.9nC@5V 43.4 nC @ 10 V 29nC@10V 40nC 0.44nC @ 4.5V 103 nC @ 10 V 29.4 nC @ 10 V 71nC@10V 0.8nC @ 4.5V 43nC@10V 16nC@10V 24nC@10V 13.5 nC @ 5 V 2.3nC@4.5V 6.8nC@5V 181nC@10V 20nC 12.2nC@10V 16nC@4.5V 48nC@10V 54nC@10V 116 nC @ 10 V 110nC@10V 20.5 nC @ 10 V 5nC@5V 30 nC @ 4.5 V 18nC@5V 52.6nC@10V 35.2nC@10V 1.05nC@10V 21.4nC@10V 9.8nC@10V 15.5nC@4.5V 50.4nC@10V 43.4nC@10V 168nC@10V 11.6nC@10V 1.14nC@4.5V 253 nC @ 10 V 37.7nC@10V 33nC 16.4nC@10V 16.7nC@5V 20.7nC@10V 109nC@10V 3.6nC@10V 60.3nC@10V 22.4nC@5V 53.4nC@5V 66.8nC@10V 23.1nC@5V 6.3nC@5V 12.4nC@5V 253nC@10V 5.85nC@4.5V 3.8nC@10V 99nC@10V 31.3nC@10V 7.3nC@10V 223nC@10V 91.8nC@4.5V 38.1nC@10V 35nC@5V 1nC@5V 29.1nC@4.5V 10.2nC@10V 35.5nC@5V 212nC@10V 9.5nC@4.5V 3.6 nC @ 10 V 21.9nC@10V 17.1nC@5V 267nC@10V 120nC@5V 29.4 nC @ 4.5 V 1.09nC@4.5V 7.4nC@5V 22.8nC@10V 13.8nC@5V 45.4nC@10V 380pC@4V 24.7nC@5V 34.1nC@10V 44.2nC@5V 1.65nC@4.5V 8.2nC@5V 400pC@4.5V€1.19nC@4.5V 30.9nC@10V 46nC@4.5V 400pC@5V 46.4nC@10V 46.2nC@10V 39.2nC@10V 7.8nC@5V 141nC@10V 24nC@4.5V 950pC@4.5V 50nC@5V 21.6nC@5V 22.8nC@5V 20.2nC@5V 20.5nC@5V 27.3nC@5V 1.19nC@4.5V 77.9nC@10V 18.77nC@10V 4.4nC@5V 54nC 19.7nC@5V 1.05nC@4.5V 51.6nC@10V 278nC@10V 23.9nC@10V 33nC@5V 71.8nC@10V 46.7nC@10V 39.4nC@5V 76nC@0V 48.5 nC @ 4.5 V 95nC@5V 38.5nC@10V 89.8nC@10V 22.2nC@5V 36.1nC@10V 65nC@5V 20.6nC@10V 41.5nC@10V 169nC@10V 123nC@5V 13.4nC@5V 7.7nC@4V 42.3nC@10V 258nC@10V 11nC 9.1nC@10V 930pC@4.5V 92nC@4.5V 15.7nC@5V 112nC 133nC@5V 8nC 5nC 34.7 nC @ 4.5 V 1.4nC 12.2nC@5V 24.8nC 92.1 nC @ 5 V 3.1nC 34.7nC@4.5V 50.1 nC @ 10 V 2.5nC 0.51nC@4.5V 0.43nC@4.5V 0.68nC@4.5V 0.6nC@4.5V 0.49nC@4.5V 62nC@0V 0.8nC@4.5V 0.9nC@4.5V 0.35nC@5V 6.2nC@5V 0.89nC@4.5V 0.7nC@4.5V 0.44nC@4.5V 19.1nC@4.5V 0.72nC@4.5V 0.5nC@4.5V 0.6nC@10V 72.4nC@10V 0.31nC@4.5V 184nC@10V 93.4nC@5V 35.5nC@10V 45nC@5V 17.9nC@10V 72nC@5V 16.2nC@5V 11.9nC@5V 0.5nC@4V 48.8nC@5V 9.4nC@5V 65.6nC@10V 33.2nC@10V 37.2nC@10V 395nC@10V 11.3nC@5V 0.92nC@10V 13.5nC@5V 2.8nC@6V 69.5nC@5V 1.16nC@4.5V 20.9nC@10V 73.1nC@10V 29.4nC@4.5V 0.7nC@10V 52.1nC@5V 0.65nC@4.5V 16.4nC@5V 22.5nC@4.5V 7.7nC@5V 0.4nC@4V 90.5nC@10V 207.1nC@10V
    集电集截止电流(Icbo)
    行业应用
    品牌: NEXPERIA
    当前匹配商品:2.1万+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-55SLHX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-55SLHX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-55SLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:395nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25773pF@27V

    连续漏极电流:330A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.03mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC32-QX 起订1个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC32-QX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:225MHz,140MHz

    功率:290mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123JQC-QZ 起订1个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123JQC-QZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:180MHz

    功率:360mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R0UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1696pF@10V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.45V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2191pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PUMB1,115 起订5个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PUMB1,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:22千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y59-60E,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y59-60E,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y59-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@25V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PUMB1,115 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PUMB1,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:22千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114TT,235 起订10000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114TT,235 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114EQC-QZ 起订5个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114EQC-QZ 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:180MHz

    功率:360mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MSX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1368pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTD114EUX 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTD114EUX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:225MHz

    功率:300mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100YSEX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100YSEX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@50V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC123ET,215 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC123ET,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC124XT,215 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC124XT,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB950UPELYL 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB950UPELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114EU,135 起订1个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114EU,135 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:180MHz

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP250,135

    工作温度:150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M14-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1211pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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