品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-55SLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:395nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25773pF@27V
连续漏极电流:330A
类型:N沟道
导通电阻:1.03mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH103,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:180MHz
功率:360mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKVYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R0UNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1696pF@10V
连续漏极电流:11.6A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.45V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2191pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y59-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@25V
连续漏极电流:16.7A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:180MHz
功率:360mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MSX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1368pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:180MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: