销售单位：个

规格型号(MPN)：GKI07113

工作温度：150℃

功率：3.1W€77W

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：57nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4040pF@25V

连续漏极电流：9A

类型：N沟道

导通电阻：9.1mΩ@27.2A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TFA107S

断态峰值电压(Vdrm)：700V

通态峰值电压(Vtm)：1.35V

ECCN：EAR99

保持电流(Ih)：20mA

浪涌电流(Itsm)：160A

工作温度：-40℃~150℃

通态RMS电流(It(rms))：15.7A

门极触发电流(Igt)：15mA

包装方式：散装

门极触发电压(Vgt)：1V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TFA37S

断态峰值电压(Vdrm)：700V

通态峰值电压(Vtm)：1.5V

ECCN：EAR99

保持电流(Ih)：15mA

浪涌电流(Itsm)：60A

工作温度：-40℃~150℃

通态RMS电流(It(rms))：4.7A

门极触发电流(Igt)：15mA

包装方式：管件

门极触发电压(Vgt)：1V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STA302A

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：4A

功率：3W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GKI10526

工作温度：150℃

功率：3.1W€46W

阈值电压：2.5V@350µA

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1530pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：47.7mΩ@9.3A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TMA86S-L

断态峰值电压(Vdrm)：600V

浪涌电流(Itsm)：80A

工作温度：-40℃~125℃

通态RMS电流(It(rms))：8A

门极触发电流(Igt)：30mA

包装方式：散装

门极触发电压(Vgt)：1.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GKI07301

工作温度：150℃

功率：3.1W€46W

阈值电压：2.5V@350µA

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1580pF@25V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA5131

包装方式：管件

连续漏极电流：2A

类型：6N-沟道（3相桥）

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA5064

工作温度：150℃

功率：5W

ECCN：EAR99

包装方式：散装

输入电容：460pF@10V€1200pF@10V

连续漏极电流：10A

类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）

导通电阻：140mΩ@5A，4V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TMA166G-L

断态峰值电压(Vdrm)：600V

浪涌电流(Itsm)：160A

工作温度：-40℃~125℃

通态RMS电流(It(rms))：16A

门极触发电流(Igt)：30mA

包装方式：散装

门极触发电压(Vgt)：1.5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TMA36S-L

断态峰值电压(Vdrm)：600V

浪涌电流(Itsm)：30A

工作温度：-40℃~125℃

通态RMS电流(It(rms))：3A

门极触发电流(Igt)：20mA

包装方式：散装

门极触发电压(Vgt)：1.5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：18psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA5201

包装方式：管件

连续漏极电流：7A

类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GKI04048

工作温度：150℃

功率：3.1W€59W

阈值电压：2.5V@650µA

栅极电荷：35.3nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2410pF@25V

连续漏极电流：14A

类型：N沟道

导通电阻：5mΩ@35.4A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DKI04103

工作温度：150℃

功率：32W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：14.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@25V

连续漏极电流：29A

类型：N沟道

导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TMA164P-L

断态峰值电压(Vdrm)：400V

浪涌电流(Itsm)：180A

工作温度：-40℃~125℃

通态RMS电流(It(rms))：16A

门极触发电流(Igt)：30mA

包装方式：散装

门极触发电压(Vgt)：1.5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SKI06106

工作温度：150℃

功率：90W

阈值电压：2.5V@650µA

栅极电荷：38.6nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2520pF@25V

连续漏极电流：57A

类型：N沟道

导通电阻：8.8mΩ@28.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：18psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA5227

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极截止电流(Ices)：600V

工作温度：150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GKI03039

工作温度：150℃

功率：3.1W€59W

阈值电压：2.5V@650µA

栅极电荷：38.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2460pF@15V

连续漏极电流：18A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@47.2A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SKI04033

工作温度：150℃

功率：116W

阈值电压：2.5V@1mA

栅极电荷：63.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3910pF@25V

连续漏极电流：80A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@58.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DKI04103

工作温度：150℃

功率：32W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：14.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@25V

连续漏极电流：29A

类型：N沟道

导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GKI03039

工作温度：150℃

功率：3.1W€59W

阈值电压：2.5V@650µA

栅极电荷：38.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2460pF@15V

连续漏极电流：18A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@47.2A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：100µA（ICBO）

特征频率：75MHz

工作温度：150°C（TJ）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V @ 6mA，3A

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000 @ 3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01P

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

断态峰值电压(Vdrm)：400V

工作温度：-40℃~+125℃

通态RMS电流(It(rms))：16A

门极触发电流(Igt)：30mA

门极触发电压(Vgt)：1.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：4A

功率：3W

集电集截止电流(Icbo)：100µA（ICBO）

工作温度：150°C（TJ）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V @ 10mA，3A

晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000 @ 3A，4V

包装清单：商品主体 * 1