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    品牌: ST
    当前匹配商品:20+
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    ST 晶闸管 BTA16-600BWRG 起订5个装
    ST 晶闸管 BTA16-600BWRG 起订5个装

    品牌:ST

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BTA16-600BWRG

    断态峰值电压(Vdrm):600V

    保持电流(Ih):50mA

    浪涌电流(Itsm):160A

    工作温度:-40℃~125℃

    通态RMS电流(It(rms)):16A

    门极触发电流(Igt):50mA

    包装方式:管件

    门极触发电压(Vgt):1.3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST 晶闸管 BTA08-600SWRG 起订6个装
    ST 晶闸管 BTA08-600SWRG 起订6个装

    品牌:ST

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BTA08-600SWRG

    断态峰值电压(Vdrm):600V

    保持电流(Ih):15mA

    浪涌电流(Itsm):80A

    工作温度:-40℃~125℃

    通态RMS电流(It(rms)):8A

    门极触发电流(Igt):10mA

    包装方式:管件

    门极触发电压(Vgt):1.3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP60NF06 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP60NF06 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60NF06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1660pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STW10NK60Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW10NK60Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST 达林顿管 TIP112 起订2个装
    ST 达林顿管 TIP112 起订2个装

    品牌:ST

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TIP112

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):2A

    功率:2W

    集电集截止电流(Icbo):2mA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@8mA,2A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STB13N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB13N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB13N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW56N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW56N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW56N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST 达林顿管 BD681 起订6个装
    ST 达林顿管 BD681 起订6个装

    品牌:ST

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD681

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    ST 达林顿管 BD679 起订5个装
    ST 达林顿管 BD679 起订5个装

    品牌:ST

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD679

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STF22NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF22NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF22NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY60NM50 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STY60NM50 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY60NM50

    工作温度:150℃

    功率:560W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:266nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@30A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY139N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STY139N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY139N65M5

    工作温度:150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:363nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15600pF@100V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@65A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW100H65FB2-4 起订1个装
    ST IGBT STGW100H65FB2-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW100H65FB2-4

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.8V@15V,100A

    关断延迟时间:141ns

    关断损耗:1.14mJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:288nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:1.06mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW9N150 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW9N150 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW9N150

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:89.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3255pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@4A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    加购:30
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST 达林顿管 BDX34C 起订4个装
    ST 达林顿管 BDX34C 起订4个装

    品牌:ST

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX34C

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):10A

    功率:70W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@6mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST IGBT STGD25N40LZAG 起订2个装
    ST IGBT STGD25N40LZAG 起订2个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGD25N40LZAG

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):50A

    关断延迟时间:4.6µs

    开启延迟时间:1.1µs

    集电极截止电流(Ices):435V

    栅极电荷:26nC

    集电极电流(Ic):1.25V@4V,6A

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW58N65DM2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW58N65DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF40N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF40N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF40N65M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2355pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK50ZFP 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK50ZFP 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK50ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST 晶闸管 T830-8FP 起订1000个装
    ST 晶闸管 T830-8FP 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):T830-8FP

    断态峰值电压(Vdrm):800V

    保持电流(Ih):50mA

    浪涌电流(Itsm):80A

    工作温度:-40℃~125℃

    通态RMS电流(It(rms)):8A

    门极触发电流(Igt):30mA

    包装方式:管件

    门极触发电压(Vgt):1.3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD18NF25 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD18NF25 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18NF25

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STW48N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW48N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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