销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87313DMS
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.25V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4290pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:13.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75301W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€63W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16570Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€195W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17556Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€191W
阈值电压:1.65V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: