品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:257.3pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB041PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@100V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@21.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSG65N110CE RVG
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM950N10CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: