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    行业应用
    阈值电压
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    栅极电荷
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    门极触发电压(Vgt)
    断态峰值电压(Vdrm)
    门极触发电流(Igt)
    集电极截止电流(Ices)
    品牌: VISHAY
    当前匹配商品:3.6万+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@15V€528pF@15V

    连续漏极电流:7.3A€5.3A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:14A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12STRL-M3 起订1个装
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12STRL-M3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):VS-25TTS12STRL-M3

    断态峰值电压(Vdrm):1.2kV

    通态峰值电压(Vtm):1.25V

    ECCN:EAR99

    保持电流(Ih):150mA

    浪涌电流(Itsm):350A

    工作温度:-40℃~125℃

    通态RMS电流(It(rms)):25A

    门极触发电流(Igt):45mA

    包装方式:卷带(TR)

    门极触发电压(Vgt):2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:4.1A€5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ44PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ44PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ44PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:66nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12S-M3 起订1个装
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12S-M3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    销售单位:

    规格型号(MPN):VS-25TTS12S-M3

    断态峰值电压(Vdrm):1.2kV

    类型:1个单向可控硅

    通态峰值电压(Vtm):1.25V

    保持电流(Ih):150mA

    工作温度:-40℃~+125℃

    通态RMS电流(It(rms)):25A

    门极触发电流(Igt):45mA

    门极触发电压(Vgt):2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB22N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.8A€8.2A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1144pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF00DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF00DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY 晶闸管 VS-16TTS12-M3 起订1个装
    VISHAY 晶闸管 VS-16TTS12-M3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:晶闸管

    行业应用:其它

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):VS-16TTS12-M3

    断态峰值电压(Vdrm):1.2kV

    通态峰值电压(Vtm):1.4V

    保持电流(Ih):150mA

    浪涌电流(Itsm):170A

    工作温度:-40℃~125℃

    通态RMS电流(It(rms)):16A

    门极触发电流(Igt):60mA

    包装方式:管件

    门极触发电压(Vgt):2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR392DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR392DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR392DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:188nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9530pF@15V

    连续漏极电流:82A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.62mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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