采购热线 400-6619-010
销售单位：个
类型：N 通道
ECCN：EAR99
输入电容：4pF @ 10V
功率：100mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：180 mV @ 1 µA
工作温度：150°C（TJ）
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2 mA @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6E3R2-55C，127
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：306W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：258 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：15300 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.2 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：470mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36 pF @ 16 V
连续漏极电流：750mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：550 毫欧 @ 600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"22+"：10900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100PS，127
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KRC14
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK13A60D(STA4，X，M)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2V @ 27µA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700 pF @ 20 V
连续漏极电流：18A（Ta），85A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：208W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：89 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：1836 pF @ 100 V
连续漏极电流：21A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：184 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J013NUZTDG
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.8W（Ta）
阈值电压：1.3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：2 N 沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62.5W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905 pF @ 75 V
连续漏极电流：6.1A（Ta），31A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC065040B7S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：195W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：43 nC @ 12 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：43A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：52 毫欧 @ 30A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86242
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@75V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：21，"23+"：14}
包装规格(MPQ)：24psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FP15R12W1T4B11BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：890pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GQTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635 pF @ 40 V
连续漏极电流：2.6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：160 毫欧 @ 2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFX600HSR5
功率：179V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：179V
类型：双
漏源电压：179V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-BE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450 pF @ 15 V
连续漏极电流：4.1A（Ta），5.1A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：74 毫欧 @ 4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：113 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200 pF @ 10 V
连续漏极电流：45A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.2 毫欧 @ 23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447ADY-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.6nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，3.1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU120NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U060CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44N(UMW)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9351TRPBF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.4W
阈值电压：2.4V @ 10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF @ 25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：170 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：5.7V @ 12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67 nC @ 18 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288 pF @ 400 V
连续漏极电流：64A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
