采购热线 400-6619-010
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：300Ohms
类型：P 通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55°C~135°C（TJ）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N 通道
ECCN：EAR99
输入电容：4pF @ 10V
功率：100mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：180 mV @ 1 µA
工作温度：150°C（TJ）
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2 mA @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：470mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36 pF @ 16 V
连续漏极电流：750mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：550 毫欧 @ 600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2V @ 27µA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700 pF @ 20 V
连续漏极电流：18A（Ta），85A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC065040B7S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：195W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：43 nC @ 12 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：43A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：52 毫欧 @ 30A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GQTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635 pF @ 40 V
连续漏极电流：2.6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：160 毫欧 @ 2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFX600HSR5
功率：179V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：179V
类型：双
漏源电压：179V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-BE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450 pF @ 15 V
连续漏极电流：4.1A（Ta），5.1A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：74 毫欧 @ 4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：113 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200 pF @ 10 V
连续漏极电流：45A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.2 毫欧 @ 23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.6nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，3.1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU120NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U060CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9351TRPBF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.4W
阈值电压：2.4V @ 10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF @ 25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：170 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：5.7V @ 12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67 nC @ 18 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288 pF @ 400 V
连续漏极电流：64A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：5.2A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK88N30P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600W（Tc）
阈值电压：5V @ 4mA
栅极电荷：180 nC @ 10 V
包装方式：盒
输入电容：6300 pF @ 25 V
连续漏极电流：88A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 毫欧 @ 44A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90N04S402ATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：4V @ 95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430 pF @ 25 V
连续漏极电流：90A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.1 毫欧 @ 90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKSX
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：320mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF @ 30V
连续漏极电流：210mA（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：3.5 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N60EF-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：227W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2030 pF @ 100 V
连续漏极电流：21A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：176 毫欧 @ 11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），35.7W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 250µA
栅极电荷：29.5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 50 V
连续漏极电流：27.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：313W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350 pF @ 30 V
连续漏极电流：295A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），19.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620 pF @ 1 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：9.5 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.81W
阈值电压：1V @ 250µA（最小）
栅极电荷：36.8nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF @ 15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：20 毫欧 @ 12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150°C
功率：150mW（Ta）
阈值电压：1V @ 100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF @ 10V
连续漏极电流：250mA（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.95W（Ta），10W（Tc）
阈值电压：1.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：46 毫欧 @ 3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11.1 毫欧 @ 70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：晶闸管
行业应用：其它
生产批次：{"14+"：4517}
销售单位：个
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
漏源导通电阻：33mOhms
类型：N 通道
ECCN：EAR99
输入电容：2360pF @ 100V
功率：441W
栅源击穿电压：650V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
