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    DIODES 数字晶体管 DDTA122LE-7-F 起订数3000个
    DIODES 数字晶体管 DDTA122LE-7-F 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 1mA

    栅极电荷:2.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:240 pF @ 15 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:75 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:150W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 95µA

    栅极电荷:156 nC @ 10 V

    输入电容:12800 pF @ 25 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.9 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP9H10S-850AVTY 起订数1个
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP9H10S-850AVTY 起订数1个

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:850W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.3W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:7.8nC @ 10V,10.2nC @ 10V

    输入电容:535pF @ 15V,528pF @ 15V

    连续漏极电流:7.3A(Tc),5.3A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:31 毫欧 @ 4.9A,10V,70 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:33W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:22.5 nC @ 10 V

    输入电容:1031 pF @ 20 V

    连续漏极电流:12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:20 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC 晶闸管 MT110C16T1-BP 起订数1个
    MCC 晶闸管 MT110C16T1-BP 起订数1个

    品牌:MCC

    分类:晶闸管

    销售单位:

    断态峰值电压(Vdrm):1.6kV

    类型:2个单向可控硅

    保持电流(Ih):250mA

    浪涌电流(Itsm):2.25kA@50Hz

    工作温度:-40℃~+130℃

    门极触发电流(Igt):150mA

    门极触发电压(Vgt):3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 MMBF4393LT3G 起订数1个
    onsemi 结型场效应管 MMBF4393LT3G 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:结型场效应管

    销售单位:

    漏源导通电阻:100Ω

    类型:N沟道

    输入电容:14pF@15V

    功率:225mW

    栅源击穿电压:30V

    栅源截止电压:500mV@10nA

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源饱和电流:5mA@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:700mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 1mA

    栅极电荷:10 nC @ 4.5 V

    输入电容:1250 pF @ 10 V

    连续漏极电流:2.5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:70 毫欧 @ 2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:94W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 46µA

    栅极电荷:35 nC @ 10 V

    输入电容:2500 pF @ 50 V

    连续漏极电流:58A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:12.3 毫欧 @ 46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订数2个
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订数2个

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:234W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:61 nC @ 10 V

    输入电容:4510 pF @ 75 V

    连续漏极电流:92A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:11 毫欧 @ 92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST 晶闸管 ACST410-8BTR 起订数5个
    ST 晶闸管 ACST410-8BTR 起订数5个

    品牌:ST

    分类:晶闸管

    销售单位:

    断态峰值电压(Vdrm):800V

    保持电流(Ih):20mA

    工作温度:-40℃~+125℃

    通态RMS电流(It(rms)):4A

    门极触发电流(Igt):10mA

    门极触发电压(Vgt):1V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLC9G21LS-60AVY 起订数1个
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLC9G21LS-60AVY 起订数1个

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:65V

    连续漏极电流:65V

    类型:双,共源

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),5.2W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:140 nC @ 10 V

    输入电容:5200 pF @ 15 V

    连续漏极电流:14A(Ta),16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:7.9 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:42 nC @ 10 V

    输入电容:804 pF @ 100 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:450 毫欧 @ 5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BBGTL1 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BBGTL1 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订数1个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:360mW(Ta),2.7W(Tc)

    阈值电压:1.05V @ 250µA

    栅极电荷:1.16 nC @ 4.5 V

    输入电容:78 pF @ 25 V

    连续漏极电流:900mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:490 毫欧 @ 500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订数1个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:86W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1mA

    栅极电荷:20.9 nC @ 10 V

    输入电容:1220 pF @ 30 V

    连续漏极电流:50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.8 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:96W(Tc)

    阈值电压:4.6V @ 60µA

    栅极电荷:23.1 nC @ 10 V

    输入电容:1820 pF @ 75 V

    连续漏极电流:56A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:16 毫欧 @ 28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),115W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 4.5 V

    输入电容:6300 pF @ 15 V

    连续漏极电流:39A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.1 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:83W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:108 nC @ 10 V

    输入电容:4586 pF @ 30 V

    连续漏极电流:52A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:18 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订数1个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订数1个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:175°C

    功率:960mW(Ta),170W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 500µA

    栅极电荷:81 nC @ 10 V

    输入电容:7540 pF @ 15 V

    连续漏极电流:150A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.92 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta),69W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:56 nC @ 10 V

    输入电容:4400 pF @ 15 V

    连续漏极电流:20A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.5 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:62.5W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:26 nC @ 10 V

    输入电容:1950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:18A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:11.2 欧姆 @ 7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LSK189 SOT-23 3L ROHS 起订数3000个
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LSK189 SOT-23 3L ROHS 起订数3000个

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    销售单位:

    类型:N 通道

    输入电容:8pF @ 15V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:60V

    栅源截止电压:1.5 V @ 1 nA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源饱和电流:2.5 mA @ 15 V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:75W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1mA

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:40 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB95R130PFD7ATMA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB95R130PFD7ATMA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:227W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 1.25mA

    栅极电荷:141 nC @ 10 V

    输入电容:4170 pF @ 400 V

    连续漏极电流:36.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:130 毫欧 @ 25.1A, 10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT F3L300R07PE4PBOSA1 起订数1个
    INFINEON IGBT F3L300R07PE4PBOSA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    销售单位:

    输入电容:18.5 nF @ 25 V

    集电极截止电流(Ices):650V

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.75V @ 15V,280A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120090D 起订数1个
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120090D 起订数1个

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:97W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 3mA

    栅极电荷:17.3 nC @ 15 V

    输入电容:414 pF @ 600 V

    连续漏极电流:23A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:155 毫欧 @ 15A,15V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订数72个
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订数72个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:2.4W(Ta),35W(Tc)

    阈值电压:4V @ 130µA

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    输入电容:2475 pF @ 50 V

    连续漏极电流:76A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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