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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 1mA

    栅极电荷:2.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:240 pF @ 15 V

    连续漏极电流:3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:75 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BBGTL1 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BBGTL1 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:96W(Tc)

    阈值电压:4.6V @ 60µA

    栅极电荷:23.1 nC @ 10 V

    输入电容:1820 pF @ 75 V

    连续漏极电流:56A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:16 毫欧 @ 28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:83W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:108 nC @ 10 V

    输入电容:4586 pF @ 30 V

    连续漏极电流:52A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:18 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订数1个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订数1个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:175°C

    功率:960mW(Ta),170W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 500µA

    栅极电荷:81 nC @ 10 V

    输入电容:7540 pF @ 15 V

    连续漏极电流:150A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.92 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:75W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1mA

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:40 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订数1个
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订数1个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:230W(Tc)

    阈值电压:5V @ 100µA

    栅极电荷:60 nC @ 10 V

    输入电容:3040 pF @ 25 V

    连续漏极电流:80A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.9W(Ta),73W(Tc)

    阈值电压:2V @ 70µA

    栅极电荷:26 nC @ 10 V

    输入电容:1450 pF @ 40 V

    连续漏极电流:14.8A(Ta),64A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订数1个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:610mW(Ta),8.3W(Tc)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:10 nC @ 4.5 V

    输入电容:679 pF @ 10 V

    连续漏极电流:4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:49毫欧 @ 4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12STRL-M3 起订数1个
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12STRL-M3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:晶闸管

    销售单位:

    断态峰值电压(Vdrm):1.2kV

    通态峰值电压(Vtm):1.25V

    保持电流(Ih):150mA

    浪涌电流(Itsm):350A @ 50Hz

    工作温度:-40°C~125°C

    通态RMS电流(It(rms)):25A

    门极触发电流(Igt):45mA

    门极触发电压(Vgt):2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1 起订数5000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1 起订数5000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:62W(Tc)

    阈值电压:2V @ 24µA

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    输入电容:2019 pF @ 25 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.56 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15M7160PY 起订数1个
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15M7160PY 起订数1个

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:160W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:14nC @ 10V

    输入电容:190pF @ 15V

    连续漏极电流:3.5A,2.3A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:100 毫欧 @ 2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:36A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:25 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订数1个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订数1个
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订数1个

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:225mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1030UFDB-7 起订数1个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1030UFDB-7 起订数1个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:13nC@4.5V€12.2nC@4.5V

    输入电容:1.028nF@6V€1.003nF@6V

    连续漏极电流:5.1A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:115pF@6V€254pF@6V

    导通电阻:17mΩ@4.5V,4.6A€37mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 1mA

    栅极电荷:6 nC @ 10 V

    输入电容:33 pF @ 10 V

    连续漏极电流:300mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订数3000个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.6nC @ 4.5V

    输入电容:324pF @ 10V

    连续漏极电流:3A,2.2A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:70 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订数1个
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订数1个

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.6W(Tc)

    阈值电压:1.6V @ 1mA

    输入电容:125 pF @ 20 V

    连续漏极电流:890mA(Tj)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:391W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1.44mA

    栅极电荷:123 nC @ 10 V

    输入电容:4820 pF @ 400 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:28 毫欧 @ 28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订数1个
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订数1个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:70W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:61 nC @ 10 V

    输入电容:2100 pF @ 25 V

    连续漏极电流:20A(Tj)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12S-M3 起订数1个
    VISHAY 晶闸管 VS-25TTS12S-M3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:晶闸管

    销售单位:

    断态峰值电压(Vdrm):1.2kV

    类型:1个单向可控硅

    通态峰值电压(Vtm):1.25V

    保持电流(Ih):150mA

    工作温度:-40℃~+125℃

    通态RMS电流(It(rms)):25A

    门极触发电流(Igt):45mA

    门极触发电压(Vgt):2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC010N06NM5ATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC010N06NM5ATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),214W(Tc)

    阈值电压:3.3V @ 147µA

    栅极电荷:143 nC @ 10 V

    输入电容:11000 pF @ 30 V

    连续漏极电流:39A(Ta),330A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.05 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-E3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-E3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W,1.25W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:10nC @ 5V

    连续漏极电流:5.8A,8.2A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRF300BN 起订数1个
    NXP Mosfet场效应管 MRF300BN 起订数1个

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:300W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUS300N08S5N012TATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUS300N08S5N012TATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:375W(Tc)

    阈值电压:3.8V @ 275µA

    栅极电荷:231 nC @ 10 V

    输入电容:16250 pF @ 40 V

    连续漏极电流:300A(Tj)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.2 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:70 nC @ 10 V

    输入电容:1300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:18A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:180 毫欧 @ 11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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