品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT136S-800DJ
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):25A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF7320
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G29
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:1.151nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT136X-600E,127
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):25A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA225B-800B,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):60mA
浪涌电流(Itsm):190A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):25A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACT108W-600E,135
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT134W-800EF
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):8mA
浪涌电流(Itsm):25A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):2A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA312B-800C,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):95A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:257.3pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA316B-600C,118
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA316-800E,127
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT137S-600D,118
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):65A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSG65N110CE RVG
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P4L11(UMW)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT169GEP
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.7V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT169D-L,116
断态峰值电压(Vdrm):400V
通态峰值电压(Vtm):1.7V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):1mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):50µA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N65F
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P02D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:55nC@4.5V
输入电容:3.5nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA425Z-800BTQ
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):75mA
通态RMS电流(It(rms)):25A
门极触发电流(Igt):50mA
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3G(UMW)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS6342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@25V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):TYN16-800RTQ
断态峰值电压(Vdrm):800V
通态峰值电压(Vtm):1.5V
保持电流(Ih):40mA
浪涌电流(Itsm):210A
工作温度:-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):25mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: