销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Tc)
阈值电压:1.5V @ 1mA
栅极电荷:2.1 nC @ 4.5 V
输入电容:240 pF @ 15 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:128W(Tc)
阈值电压:4V @ 590µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
输入电容:2140 pF @ 400 V
连续漏极电流:24A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:95 毫欧 @ 11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4.6V @ 60µA
栅极电荷:23.1 nC @ 10 V
输入电容:1820 pF @ 75 V
连续漏极电流:56A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:16 毫欧 @ 28A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:83W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:108 nC @ 10 V
输入电容:4586 pF @ 30 V
连续漏极电流:52A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:175°C
功率:960mW(Ta),170W(Tc)
阈值电压:2.1V @ 500µA
栅极电荷:81 nC @ 10 V
输入电容:7540 pF @ 15 V
连续漏极电流:150A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.92 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),48W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:23 nC @ 10 V
输入电容:1700 pF @ 12 V
连续漏极电流:25A(Ta),110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:230W(Tc)
阈值电压:5V @ 100µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
输入电容:3040 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:结型场效应管
销售单位:个
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.9W(Ta),73W(Tc)
阈值电压:2V @ 70µA
栅极电荷:26 nC @ 10 V
输入电容:1450 pF @ 40 V
连续漏极电流:14.8A(Ta),64A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:610mW(Ta),8.3W(Tc)
阈值电压:1.3V @ 250µA
栅极电荷:10 nC @ 4.5 V
输入电容:679 pF @ 10 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:49毫欧 @ 4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
通态峰值电压(Vtm):1.25V
保持电流(Ih):150mA
浪涌电流(Itsm):350A @ 50Hz
工作温度:-40°C~125°C
通态RMS电流(It(rms)):25A
门极触发电流(Igt):45mA
门极触发电压(Vgt):2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:62W(Tc)
阈值电压:2V @ 24µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
输入电容:2019 pF @ 25 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.56 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:610mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:11.6 nC @ 4.5 V
输入电容:1149 pF @ 10 V
连续漏极电流:6.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:160W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2W
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:14nC @ 10V
输入电容:190pF @ 15V
连续漏极电流:3.5A,2.3A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:100 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:25 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:620pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:290mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:225mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:115mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.36W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V€12.2nC@4.5V
输入电容:1.028nF@6V€1.003nF@6V
连续漏极电流:5.1A€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:115pF@6V€254pF@6V
导通电阻:17mΩ@4.5V,4.6A€37mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 1mA
栅极电荷:6 nC @ 10 V
输入电容:33 pF @ 10 V
连续漏极电流:300mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:1 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:4.6nC @ 4.5V
输入电容:324pF @ 10V
连续漏极电流:3A,2.2A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:70 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Tc)
阈值电压:1.6V @ 1mA
输入电容:125 pF @ 20 V
连续漏极电流:890mA(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:1 欧姆 @ 1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
栅极电荷:32 nC @ 10 V
输入电容:1470 pF @ 15 V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:391W(Tc)
阈值电压:4V @ 1.44mA
栅极电荷:123 nC @ 10 V
输入电容:4820 pF @ 400 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:28 毫欧 @ 28.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:70W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
输入电容:2100 pF @ 25 V
连续漏极电流:20A(Tj)
类型:P 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P沟道
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: