采购热线 400-6619-010
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Tc）
阈值电压：1.5V @ 1mA
栅极电荷：2.1 nC @ 4.5 V
输入电容：240 pF @ 15 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：128W（Tc）
阈值电压：4V @ 590µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
输入电容：2140 pF @ 400 V
连续漏极电流：24A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：95 毫欧 @ 11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：96W（Tc）
阈值电压：4.6V @ 60µA
栅极电荷：23.1 nC @ 10 V
输入电容：1820 pF @ 75 V
连续漏极电流：56A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：108 nC @ 10 V
输入电容：4586 pF @ 30 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：175°C
功率：960mW（Ta），170W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 500µA
栅极电荷：81 nC @ 10 V
输入电容：7540 pF @ 15 V
连续漏极电流：150A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.92 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：75W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），48W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：23 nC @ 10 V
输入电容：1700 pF @ 12 V
连续漏极电流：25A（Ta），110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：230W（Tc）
阈值电压：5V @ 100µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：3040 pF @ 25 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：结型场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.9W（Ta），73W（Tc）
阈值电压：2V @ 70µA
栅极电荷：26 nC @ 10 V
输入电容：1450 pF @ 40 V
连续漏极电流：14.8A（Ta），64A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：610mW（Ta），8.3W（Tc）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：10 nC @ 4.5 V
输入电容：679 pF @ 10 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：49毫欧 @ 4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态峰值电压(Vtm)：1.25V
保持电流(Ih)：150mA
浪涌电流(Itsm)：350A @ 50Hz
工作温度：-40°C~125°C
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：45mA
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：62W（Tc）
阈值电压：2V @ 24µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
输入电容：2019 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.56 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：610mW（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：11.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1149 pF @ 10 V
连续漏极电流：6.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：160W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：14nC @ 10V
输入电容：190pF @ 15V
连续漏极电流：3.5A，2.3A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：100 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3400 pF @ 25 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，500mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：225mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：115mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V€12.2nC@4.5V
输入电容：1.028nF@6V€1.003nF@6V
连续漏极电流：5.1A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：115pF@6V€254pF@6V
导通电阻：17mΩ@4.5V，4.6A€37mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：6 nC @ 10 V
输入电容：33 pF @ 10 V
连续漏极电流：300mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：1 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.6nC @ 4.5V
输入电容：324pF @ 10V
连续漏极电流：3A，2.2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：70 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Tc）
阈值电压：1.6V @ 1mA
输入电容：125 pF @ 20 V
连续漏极电流：890mA（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：1 欧姆 @ 1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：32 nC @ 10 V
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：391W（Tc）
阈值电压：4V @ 1.44mA
栅极电荷：123 nC @ 10 V
输入电容：4820 pF @ 400 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28 毫欧 @ 28.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
输入电容：2100 pF @ 25 V
连续漏极电流：20A（Tj）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P沟道
输入电容：11pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：3V@10nA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源饱和电流：7mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.25V
保持电流(Ih)：150mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：45mA
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
