采购热线 400-6619-010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150°C
功率：130W（Tc）
阈值电压：4V @ 610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370 pF @ 300 V
连续漏极电流：15A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：210 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta），26W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：9.1 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670 pF @ 12 V
连续漏极电流：12A（Ta），40A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFT05MS031GNR1
功率：40V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：25mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：25mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R022S7XTMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：390W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 1.44mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150 nC @ 12 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5639 pF @ 300 V
连续漏极电流：23A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 23A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：晶闸管
行业应用：其它
生产批次：{"08+"：2878，"09+"：15850，"10+"：69665}
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：50mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：50mA
门极触发电压(Vgt)：1.1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.8W（Ta），53W（Tc）
阈值电压：1.8V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310 pF @ 15 V
连续漏极电流：35A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R360PFD7ATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：74W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534 pF @ 400 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：360 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N10S406ATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870 pF @ 25 V
连续漏极电流：90A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.7 毫欧 @ 90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7769L1TRPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.3W（Ta），125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11560 pF @ 25 V
连续漏极电流：20A（Ta），124A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：20}
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R17KE4HOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：18 nF @ 25 V
集电极截止电流(Ices)：1700V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V @ 15V，200A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WT106
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15 pF @ 30 V
连续漏极电流：310mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 310mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：20A€4.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGY160T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：480A
开启延迟时间：53ns/98ns
集电极截止电流(Ices)：650V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.05V @ 15V，160A
导通损耗：12.4mJ（开），5.7mJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：188W（Tc）
阈值电压：4V @ 140µA
栅极电荷：176 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8095AC
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF @ 75V，230pF @ 75V
连续漏极电流：6.2A，1A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：30 毫欧 @ 6.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKMYL
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：380mW（Ta），2.8W（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20 pF @ 30 V
连续漏极电流：380mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.3 欧姆 @ 380mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ980DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：20W，66W
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC @ 4.5V，35nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF @ 15V，4600pF @ 15V
连续漏极电流：20A（Tc），60A（Tc）
类型：2 个 N 通道（双），肖特基
导通电阻：6.7 毫欧 @ 15A，10V，1.6 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：750W（Tc）
阈值电压：5.2V @ 47mA
栅极电荷：220 nC @ 18 V
包装方式：管件
输入电容：9170 nF @ 25 V
连续漏极电流：225A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：9.9 毫欧 @ 108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LFG-7
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta），30W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949 pF @ 40 V
连续漏极电流：9.5A（Ta），35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：500V
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.75V
保持电流(Ih)：20mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：15mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：100kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M5R0-40HX
工作温度：175°C
功率：83W
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：85A（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：5 毫欧 @ 85A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W€1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218 pF @ 10 V
连续漏极电流：4.1A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ141EL-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：600W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：731 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62190 pF @ 25 V
连续漏极电流：390A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：2 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：148W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：49 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404 pF @ 50 V
连续漏极电流：57A（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44STRLPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.7W（Ta），150W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900 pF @ 25 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28 毫欧 @ 31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
