销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA(ICBO)
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 PNP 预偏压(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: