采购热线 400-6619-010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：202nC@10V
输入电容：15.719nF@25V
连续漏极电流：425A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.38W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@4.5V，2A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，24A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：0.65mJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：62nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.34mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：结型场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：45W
阈值电压：4.5V@50μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@10V，1.2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
输入电容：2.35nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：3.9V@100μA
栅极电荷：134nC@10V
输入电容：4.61nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：460pF@25V
导通电阻：1.9mΩ@10V，90A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04kW
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：540nC@10V
输入电容：23nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：51W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 180µA
栅极电荷：15.3 nC @ 10 V
输入电容：656 pF @ 400 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：280 毫欧 @ 3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：9.71nF@20V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
输入电容：900 pF @ 15 V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27.1W€2.67W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：49.1A€15.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@10V
导通电阻：1.6Ω@4.5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：晶闸管
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：10mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：6A
门极触发电流(Igt)：5mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W€2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：93nC@10V
输入电容：7.2nF@15V
连续漏极电流：100A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.355nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：10.3 nC @ 10 V
输入电容：315 pF @ 100 V
连续漏极电流：4.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1 欧姆 @ 2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3.007nF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10V，10.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
