采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.62W€65.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2798pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7123DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：90nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3729pF@10V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y12-40E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：9.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK180N15P
工作温度：-55℃~175℃
功率：830W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：盒
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@90A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：159nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5380pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P-Channel
导通电阻：8.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7749L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12320pF@25V
连续漏极电流：33A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@120A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：15V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1615，"20+"：2451，"23+"：9336，"MI+"：2417}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6008NBKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW€1.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@30V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7434PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：324nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10820pF@25V
连续漏极电流：317A
类型：N-Channel
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW08N120CS7XKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：24A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：130ns
关断损耗：400µJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：52nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，8A
导通损耗：370µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7404TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：P-Channel
导通电阻：40mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：73A
类型：N-Channel
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：100MHz
功率：330mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80P04P4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.2V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6580pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R210CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.5V@70µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：280psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGCM06F60GAXKMA1
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
