采购热线 400-6619-010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7.4nC@10V
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，4.4A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：1个P沟道
导通电阻：30Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST IGBT
分类：IGBT
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：360A
开启延迟时间：66ns/185ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：420nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.15V @ 15V，120A
导通损耗：1.8mJ（开），4.41mJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：4.7kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：19A（Ta），136A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 45A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：200W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：150 nC @ 10 V
输入电容：4340 pF @ 25 V
连续漏极电流：160A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.7 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.9W（Ta），166W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：86 nC @ 10 V
输入电容：6100 pF @ 25 V
连续漏极电流：46A（Ta），300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.92 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.3W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：7.8nC @ 10V，10.2nC @ 10V
输入电容：535pF @ 15V，528pF @ 15V
连续漏极电流：7.3A（Tc），5.3A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：31 毫欧 @ 4.9A，10V，70 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：250W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 196µA
栅极电荷：166 nC @ 4.5 V
输入电容：28000 pF @ 30 V
连续漏极电流：180A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.6 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：2.4V @ 1mA
输入电容：56pF @ 25V，75pF @ 25V
类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道
导通电阻：6 欧姆 @ 1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta），1.8W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：21 nC @ 8 V
连续漏极电流：3.7A（Ta），4.4A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：61 毫欧 @ 3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：晶闸管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：147W（Ta）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：50.4 nC @ 10 V
输入电容：3384 pF @ 50 V
连续漏极电流：80A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：10.2 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4V @ 100µA
栅极电荷：69 nC @ 10 V
输入电容：2290 pF @ 50 V
连续漏极电流：56A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.4 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：1.6kV
类型：2个单向可控硅
保持电流(Ih)：200mA
工作温度：-40℃~+140℃
通态RMS电流(It(rms))：170A
门极触发电流(Igt)：150mA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），4.2W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
输入电容：833 pF @ 20 V
连续漏极电流：3.5A（Ta），13A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：89 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：45mA
浪涌电流(Itsm)：155A，170A
工作温度：125°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：35mA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 10 V
输入电容：350 pF @ 30 V
连续漏极电流：2.9A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：216 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：395W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 15.5mA
栅极电荷：164 nC @ 18 V
输入电容：3480 pF @ 325 V
连续漏极电流：106A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28.5 毫欧 @ 45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：2V @ 1mA
栅极电荷：93.4 nC @ 5 V
输入电容：10502 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：5.4 nC @ 10 V
输入电容：335 pF @ 30 V
连续漏极电流：2.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：116 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4.6V @ 264µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：7800 pF @ 75 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 60A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
电阻比：47kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：260mW（Ta）
阈值电压：1.25V @ 250µA
栅极电荷：1.65nC @ 4.5V
输入电容：81pF @ 15V
连续漏极电流：870mA（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：252 毫欧 @ 900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：960mW（Ta），1.7W（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：13 nC @ 10 V
输入电容：370 pF @ 20 V
连续漏极电流：3.2A（Ta），4.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：51 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
