采购热线 400-6619-010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta），25W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
输入电容：1310 pF @ 15 V
连续漏极电流：9A（Ta），36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），62.5W（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：53 nC @ 10 V
输入电容：3415 pF @ 10 V
连续漏极电流：50.2A（Ta），177A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.35 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：80nC @ 10V
输入电容：3500pF @ 15V
连续漏极电流：60A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：5.6 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：4V @ 450µA
栅极电荷：25 nC @ 10 V
输入电容：730 pF @ 300 V
连续漏极电流：11.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：290 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：93.8 nC @ 8 V
输入电容：2760 pF @ 10 V
连续漏极电流：15.4A（Ta），25A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
保持电流(Ih)：200mA
工作温度：-40℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：234A
门极触发电流(Igt)：150mA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1.1V @ 250µA
栅极电荷：6.3 nC @ 4.5 V
输入电容：914 pF @ 4 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：19.4 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：1.25kW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：160A
开启延迟时间：84ns/177ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：170nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V @ 15V，40A
导通损耗：970µJ（开），440µJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：400V
通态峰值电压(Vtm)：1.95V
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：5340 pF @ 20 V
连续漏极电流：42A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：20mA
浪涌电流(Itsm)：40A，48A
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：25mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：30A
开启延迟时间：21ns/110ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：22nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V @ 15V，10A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：50mA
浪涌电流(Itsm)：270A，297A
工作温度：150°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：30A
门极触发电流(Igt)：35mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：88W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：35 nC @ 5 V
输入电容：1600 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 18A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：417W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：270 nC @ 10 V
输入电容：8000 pF @ 25 V
连续漏极电流：47A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：70 毫欧 @ 23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：400V
保持电流(Ih)：10mA
工作温度：-40℃~+110℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：5mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：130nC@10V
输入电容：3.21nF@25V
连续漏极电流：84A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
输入电容：1.3nF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：800V
类型：2个单向可控硅
保持电流(Ih)：200mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：180A
门极触发电流(Igt)：150mA
门极触发电压(Vgt)：2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：175W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 5mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
输入电容：1272 pF @ 1000 V
连续漏极电流：21A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：208 毫欧 @ 12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：29.8nC@5V
输入电容：4.35nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：800V
通态峰值电压(Vtm)：1.8V
保持电流(Ih)：3mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：500mA
门极触发电流(Igt)：50μA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
