采购热线 400-6619-010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：3V @ 18µA
栅极电荷：22 nC @ 10 V
输入电容：1338 pF @ 25 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.68 毫欧 @ 40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：42A€11.1A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），96W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：91 nC @ 10 V
输入电容：4765 pF @ 40 V
连续漏极电流：9.2A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.5 毫欧 @ 11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.7W（Ta），52W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
输入电容：1800 pF @ 15 V
连续漏极电流：13.9A（Ta），35A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），61W（Tc）
阈值电压：4V @ 53µA
栅极电荷：14.4 nC @ 10 V
输入电容：1035 pF @ 30 V
连续漏极电流：17A（Ta），71A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：4.2nC @ 8V
输入电容：120pF @ 6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：390 毫欧 @ 1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），3.3W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 8 V
输入电容：1300 pF @ 10 V
连续漏极电流：5.2A（Ta），6A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.6V
保持电流(Ih)：6mA
浪涌电流(Itsm)：75A，82A
工作温度：-40°C~125°C
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：200µA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：2V @ 270µA
栅极电荷：175 nC @ 10 V
输入电容：12400 pF @ 15 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
电阻比：47kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kOhms
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta），920mW（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：0.8 nC @ 10 V
输入电容：40 pF @ 10 V
连续漏极电流：500mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：1.8 欧姆 @ 220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：50V
连续漏极电流：50V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），65.7W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
栅极电荷：42 nC @ 10 V
输入电容：2140 pF @ 50 V
连续漏极电流：12.5A（Ta），45.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：490mW（Ta），8.33W（Tc）
阈值电压：900mV @ 250µA
输入电容：660pF @ 10V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：15mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：10mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：15mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：10mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
输入电容：1949 pF @ 40 V
连续漏极电流：9.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2500W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 10 V
输入电容：12000 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N沟道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~200°C（TJ）
功率：420W（Tc）
阈值电压：5V @ 5mA
栅极电荷：162 nC @ 18 V
输入电容：3315 pF @ 520 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 150µA
栅极电荷：170 nC @ 10 V
输入电容：6920 pF @ 50 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：270W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 900µA
栅极电荷：79 nC @ 10 V
输入电容：3194 pF @ 400 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：8A，8.5A
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：5mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：特殊晶体管
销售单位：个
规格型号(MPN)：FSBB30CH60F
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.2W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：149 nC @ 10 V
输入电容：6358 pF @ 10 V
连续漏极电流：55A
类型：P 通道
导通电阻：8.3 毫欧 @ 15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：23nC @ 10V
输入电容：865pF @ 15V
连续漏极电流：8A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：22 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：370W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：240 nC @ 10 V
输入电容：9200 pF @ 50 V
连续漏极电流：240A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 160A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
