品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 4.5V,11nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF @ 15V,1089pF @ 15V
连续漏极电流:15A(Tc),13A(Tc)
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:16 毫欧 @ 8A,10V,24 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta),6W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630 pF @ 10 V
连续漏极电流:35.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.6 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150°C(TJ)
功率:192W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5400 pF @ 50 V
连续漏极电流:148A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.8 毫欧 @ 32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB03N03LB G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:150W(Tc)
阈值电压:2V @ 100µA
栅极电荷:59 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7624 pF @ 15 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.8 毫欧 @ 55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
功率:375W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:1个N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:5.7V @ 3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21 nC @ 18 V
包装方式:管件
输入电容:707 pF @ 800 V
连续漏极电流:26A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:2V @ 50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310 pF @ 25 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.9 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150°C(TJ)
功率:800mW(Ta)
阈值电压:1V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860 pF @ 6 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470 pF @ 50 V
连续漏极电流:18A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:42 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:150W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780 pF @ 25 V
连续漏极电流:200A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.28W
阈值电压:2.4V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1372 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:28 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN24N100
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":14000,"91+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFSL8403
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:99W(Tc)
阈值电压:3.9V @ 100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3183 pF @ 25 V
连续漏极电流:123A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.3 毫欧 @ 70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":84086}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ-F085
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700 pF @ 25 V
连续漏极电流:14.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:7.8 毫欧 @ 14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:83W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 340µA
栅极电荷:31 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330 pF @ 400 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:145 毫欧 @ 6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10kOhms
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 110µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:350 pF @ 500 V
连续漏极电流:6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:900 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:156W(Tc)
阈值电压:4V @ 110µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:2900 pF @ 50 V
连续漏极电流:11.4A(Ta),90A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:10 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):25A,27A
工作温度:125°C(TJ)
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):10mA
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3W(Ta),19W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 13µA
栅极电荷:2nC @ 4.5V
输入电容:350pF @ 25V
连续漏极电流:7.5A(Ta),26A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:28 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6.25W(Ta),125W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:165 nC @ 10 V
输入电容:9100 pF @ 20 V
连续漏极电流:64.6A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:890mW
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:5.2nC @ 4.5V
输入电容:570pF @ 10V
连续漏极电流:6.7A(Ta)
类型:2 N 沟道(双)共漏
导通电阻:26 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:34W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:88 nC @ 10 V
输入电容:1670 pF @ 100 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:440 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),83W(Tc)
阈值电压:2V @ 49µA
栅极电荷:85 nC @ 10 V
输入电容:6800 pF @ 20 V
连续漏极电流:24A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):14A,15.4A
工作温度:125°C(TJ)
通态RMS电流(It(rms)):2A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:136W(Tc)
阈值电压:4V @ 80µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485 pF @ 25 V
连续漏极电流:50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14.4 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: