采购热线 400-6619-010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：6W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF @ 15V，1089pF @ 15V
连续漏极电流：15A（Tc），13A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta），6W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630 pF @ 10 V
连续漏极电流：35.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150°C（TJ）
功率：192W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：5400 pF @ 50 V
连续漏极电流：148A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB03N03LB G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：2V @ 100µA
栅极电荷：59 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7624 pF @ 15 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
功率：375W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：5.7V @ 3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21 nC @ 18 V
包装方式：管件
输入电容：707 pF @ 800 V
连续漏极电流：26A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：2V @ 50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.9 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860 pF @ 6 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470 pF @ 50 V
连续漏极电流：18A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：42 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780 pF @ 25 V
连续漏极电流：200A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LPSQ-13
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.28W
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1372 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：28 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN24N100
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：14000，"91+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFSL8403
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：99W（Tc）
阈值电压：3.9V @ 100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：3183 pF @ 25 V
连续漏极电流：123A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.3 毫欧 @ 70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：84086}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-F085
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700 pF @ 25 V
连续漏极电流：14.5A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：7.8 毫欧 @ 14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 340µA
栅极电荷：31 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330 pF @ 400 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：145 毫欧 @ 6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R900P7AKMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 110µA
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 500 V
连续漏极电流：6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：900 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：156W（Tc）
阈值电压：4V @ 110µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2900 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.4A（Ta），90A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：15mA
浪涌电流(Itsm)：25A，27A
工作温度：125°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：10mA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：65 nC @ 10 V
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），19W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 13µA
栅极电荷：2nC @ 4.5V
输入电容：350pF @ 25V
连续漏极电流：7.5A（Ta），26A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：28 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：6.25W（Ta），125W（Tc）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：165 nC @ 10 V
输入电容：9100 pF @ 20 V
连续漏极电流：64.6A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.88 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890mW
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：5.2nC @ 4.5V
输入电容：570pF @ 10V
连续漏极电流：6.7A（Ta）
类型：2 N 沟道（双）共漏
导通电阻：26 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：34W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：88 nC @ 10 V
输入电容：1670 pF @ 100 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：440 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），83W（Tc）
阈值电压：2V @ 49µA
栅极电荷：85 nC @ 10 V
输入电容：6800 pF @ 20 V
连续漏极电流：24A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：800V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：25mA
浪涌电流(Itsm)：14A，15.4A
工作温度：125°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：2A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S214ATMA2
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：136W（Tc）
阈值电压：4V @ 80µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485 pF @ 25 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.4 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
