采购热线 400-661-9010
品牌：博越
分类：Mosfet场效应管
生产批次：24+
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：百个
规格型号(MPN)：SI2305
阈值电压：PDF
类型：P沟道MOS管
功率：PDF
RoHS：PDF
应用级别：PDF
栅极电荷：PDF
ECCN：PDF
工作温度：PDF
漏源电压：PDF
导通电阻：PDF
输入电容：PDF
反向传输电容：PDF
封装规格：SOT-23
包装方式：圆盘卷带
生命周期：PDF
沟道类型：P沟道
连续漏极电流：PDF
包装清单：商品主体*1
库存：
品牌：博越
分类：Mosfet场效应管
生产批次：24+
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：百个
规格型号(MPN)：SI2302S
阈值电压：PDF
功率：PDF
RoHS：PDF
沟道类型：N沟道
应用级别：PDF
栅极电荷：PDF
ECCN：PDF
工作温度：PDF
漏源电压：PDF
导通电阻：PDF
输入电容：PDF
反向传输电容：PDF
封装规格：SOT-23
包装方式：圆盘卷带
类型：N沟道MOS管
生命周期：PDF
连续漏极电流：PDF
包装清单：商品主体*1
库存：
品牌：冠兆
分类：射频晶体管
包装清单：主产品 x 1
库存：
品牌：刚沃
分类：射频晶体管
包装清单：主产品 x 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3438_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.95nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4832
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8070.0
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：88A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，40A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT134W-600D，115
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：10A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：5mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3422A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT151-650LTNQ
断态峰值电压(Vdrm)：650V
通态峰值电压(Vtm)：1.5V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：20mA
浪涌电流(Itsm)：120A
工作温度：150℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：5mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：06N06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170P(UMW)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA316B-600B，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：60mA
浪涌电流(Itsm)：140A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：50mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3402_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G(UMW)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2308
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT139-800，127
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：45mA
浪涌电流(Itsm)：155A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT400P10K
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
