采购热线 400-6619-010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：176 nC @ 10 V
输入电容：11570 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5.1 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：14nC @ 10V
输入电容：190pF @ 15V
连续漏极电流：3.5A，2.3A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：100 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：625mW（Ta），5.4W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：3.8 nC @ 10 V
输入电容：110 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：222 毫欧 @ 1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3400 pF @ 25 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：7mA
浪涌电流(Itsm)：8A，8.5A
工作温度：125°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：3mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道
导通电阻：120mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，500mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：225mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：115mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），44W（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
输入电容：1882 pF @ 10 V
连续漏极电流：14.7A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：9 毫欧 @ 16.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V€12.2nC@4.5V
输入电容：1.028nF@6V€1.003nF@6V
连续漏极电流：5.1A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：115pF@6V€254pF@6V
导通电阻：17mΩ@4.5V，4.6A€37mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：6 nC @ 10 V
输入电容：33 pF @ 10 V
连续漏极电流：300mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：1 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.6nC @ 4.5V
输入电容：324pF @ 10V
连续漏极电流：3A，2.2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：70 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：2.4nF@25V
连续漏极电流：43A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，22A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta），6.25W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3650 pF @ 15 V
连续漏极电流：28A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.6V
保持电流(Ih)：22mA
浪涌电流(Itsm)：100A，120A
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：6mA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：1.6kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.64V
保持电流(Ih)：100mA
工作温度：-40℃~+140℃
通态RMS电流(It(rms))：75A
门极触发电流(Igt)：100mA
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：27 nC @ 15 V
输入电容：740 pF @ 100 V
连续漏极电流：7.6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：515毫欧 @ 5A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Tc）
阈值电压：1.6V @ 1mA
输入电容：125 pF @ 20 V
连续漏极电流：890mA（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：1 欧姆 @ 1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：357W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：169 nC @ 10 V
输入电容：10000 pF @ 40 V
连续漏极电流：240A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120 @ 1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：66 nC @ 5 V
输入电容：3300 pF @ 25 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28 毫欧 @ 31A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
栅极电荷：32 nC @ 10 V
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 40µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
输入电容：4500 pF @ 25 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：391W（Tc）
阈值电压：4V @ 1.44mA
栅极电荷：123 nC @ 10 V
输入电容：4820 pF @ 400 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28 毫欧 @ 28.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
输入电容：2100 pF @ 25 V
连续漏极电流：20A（Tj）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：11 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
