包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA316B-600B,118
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):60mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA316-800E,127
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3422A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G23N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT151-650LTNQ
断态峰值电压(Vdrm):650V
通态峰值电压(Vtm):1.5V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):120A
工作温度:150℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:14A€70A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT137S-600D,118
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):65A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BT155W-1200TQ
断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
通态峰值电压(Vtm):1.5V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):200mA
浪涌电流(Itsm):650A
工作温度:150℃
通态RMS电流(It(rms)):79A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):1N65L
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TR(UMW)
功率:300mW
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:85mΩ@10V,4.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA208-600E,127
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):65A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA216B-800B,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):60mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TR(UMW)
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50μA
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSG65N110CE RVG
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P(UMW)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":86000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ACT108-600E,126
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT134W-600,135
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):10A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA208S-600E,118
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):65A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EY
工作温度:150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:340mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: