品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":137}
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):A3G35H100-04SR3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2206
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
阈值电压:2.5V @ 13mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940 pF @ 40 V
连续漏极电流:90A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2.2 毫欧 @ 29A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150°C
功率:1W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300 pF @ 10 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:31 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):E3M0045065K
ECCN:EAR99
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ALD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ALD110800ASCL
工作温度:0℃~+70℃
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2.5pF@5V
类型:4个N沟道
导通电阻:500Ω@4V
漏源电压:10.6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:136W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:34A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172 pF @ 100 V
连续漏极电流:35.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:37.5 毫欧 @ 12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),50W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300 pF @ 25 V
连续漏极电流:21A(Ta),78A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.5 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):2.2kV
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):500mA
浪涌电流(Itsm):30000A @ 50Hz
工作温度:-40°C~125°C
通态RMS电流(It(rms)):1500A
门极触发电流(Igt):250mA
包装方式:托盘
门极触发电压(Vgt):2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO040N03MSGXUMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.56W(Ta)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:73 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700 pF @ 15 V
连续漏极电流:16A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3109-Z-E1-AZ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP180N055TUK-E1-AY
工作温度:175°C(TJ)
功率:1.8W(Ta),348W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:294 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16050 pF @ 25 V
连续漏极电流:180A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 毫欧 @ 90A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP15H9S30Z
功率:30W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:333W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11353 pF @ 27 V
连续漏极电流:200A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2.1 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:216W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3352 pF @ 100 V
连续漏极电流:25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:126 毫欧 @ 12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175°C(TJ)
功率:44W(Tc)
阈值电压:4V @ 410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14 nC @ 18 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184 pF @ 800 V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:430mW(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140 pF @ 25 V
连续漏极电流:440mA(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4020TRLPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:4.9V @ 100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200 pF @ 50 V
连续漏极电流:18A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:105 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT1044M-EL-E
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISS55EP06LMXTSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:400mW(Ta)
阈值电压:2V @ 11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.59 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18 pF @ 30 V
连续漏极电流:180mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:5.5 欧姆 @ 180mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190C7XKSA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:4V @ 290µA
栅极电荷:23 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1150 pF @ 400 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:190 毫欧 @ 5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHM792TRPBF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W
阈值电压:4V @ 10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF @ 25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:195 毫欧 @ 2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.7W(Ta),83W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100 pF @ 25 V
连续漏极电流:29A(Ta),140A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.3 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6617R-A-TF
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5546-AU_R2_002A1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:2V @ 30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925 pF @ 25 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.6 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R075CFD7AUMA1
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:189W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 760µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2721 pF @ 400 V
连续漏极电流:33A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024TRPBF-BE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.2W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
栅极电荷:31 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988 pF @ 15 V
连续漏极电流:22A(Ta),102A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: