采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7424TR(UMW)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT136S-600F，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：15mA
浪涌电流(Itsm)：25A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：25mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA312B-800C，118
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：95A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFL7004
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：66N03
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P(UMW)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSF2318E
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12900pF@20V
连续漏极电流：31A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：Z0109MN0，135
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：12.5A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM210N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT137-600G，127
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：40mA
浪涌电流(Itsm)：65A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：50mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA208S-600E，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：25mA
浪涌电流(Itsm)：65A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4401P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3228pF@15V
连续漏极电流：10A€50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65D5
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瑞能
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BT152-400R，127
断态峰值电压(Vdrm)：450V
通态峰值电压(Vtm)：1.75V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：60mA
浪涌电流(Itsm)：200A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：20A
门极触发电流(Igt)：32mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：Z0109NN0，135
断态峰值电压(Vdrm)：800V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：10mA
浪涌电流(Itsm)：12.5A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
