采购热线 400-6619-010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：230W（Tc）
阈值电压：3.8V @ 160µA
栅极电荷：130 nC @ 10 V
输入电容：9264 pF @ 40 V
连续漏极电流：240A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.9 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：63nC@5V
输入电容：2.94nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，9A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：晶闸管
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.5V
保持电流(Ih)：5mA
浪涌电流(Itsm)：9A @ 60Hz
工作温度：-40°C~110°C（TJ）
通态RMS电流(It(rms))：250mA
门极触发电流(Igt)：50µA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，6A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：6.4nC@10V
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 20µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
输入电容：2890 pF @ 25 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：50mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：50mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7 nC @ 5 V
输入电容：555 pF @ 15 V
连续漏极电流：3.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：35 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150W
阈值电压：3.5V@90μA
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.8mΩ@10V，90A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：517W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：270nC@10V
输入电容：10.774nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10V，42A
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N沟道
输入电容：24pF@5V
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1.5V@0.1μA
工作温度：-40℃~+125℃
漏源饱和电流：24mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：43W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：8.4 nC @ 5 V
输入电容：400 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：3.05nF@60V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@60V
导通电阻：7.5mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@4.5V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50°C~150°C（TJ）
功率：3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：62nC @ 10V
输入电容：1945pF @ 10V
连续漏极电流：8A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：19.2 毫欧 @ 8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90 @ 100mA，1V
集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：300MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：5.7V @ 1.1mA
栅极电荷：5 nC @ 12 V
输入电容：275 pF @ 1000 V
连续漏极电流：5.2A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1000毫欧 @ 1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.4V @ 10µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：386 pF @ 25 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：59 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
阈值电压：2.5V @ 600µA
栅极电荷：0.91 nC @ 5 V
输入电容：90 pF @ 50 V
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：65 毫欧 @ 1A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：660mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：2.8 nC @ 10 V
输入电容：130 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Tc）
阈值电压：800mV @ 250µA
栅极电荷：6.5 nC @ 4.5 V
输入电容：272 pF @ 10 V
连续漏极电流：1.4A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：156W（Tc）
阈值电压：4V @ 110µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2900 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.4A（Ta），90A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5μA
栅极电荷：281pC@10V
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.19Ω@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：700mW（Ta），22W（Tc）
阈值电压：2.3V @ 100µA
栅极电荷：9.8 nC @ 4.5 V
输入电容：820 pF @ 15 V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.9 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
