采购热线 400-6619-010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：N 通道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：380W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：140 nC @ 4.5 V
输入电容：11210 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 165A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：208W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：58 nC @ 10 V
输入电容：1144 pF @ 100 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：400 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
栅极电荷：35 nC @ 10 V
输入电容：2550 pF @ 10 V
连续漏极电流：30A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：11 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：13W
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：50A
类型：2个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：50V
连续漏极电流：50V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），65W（Tc）
阈值电压：4V @ 30µA
栅极电荷：38nC @ 10V
输入电容：2950pF @ 20V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：7.6 毫欧 @ 17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 120µA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2940 pF @ 40 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C
功率：1.2W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 1mA
栅极电荷：5.1 nC @ 4.5 V
输入电容：210 pF @ 10 V
连续漏极电流：2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：110 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：395W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 1mA
栅极电荷：232 nC @ 20 V
输入电容：3020 pF @ 1000 V
连续漏极电流：89A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：71W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 35µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：4690 pF @ 25 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：560W（Tc）
阈值电压：3.9V @ 5mA
栅极电荷：500 nC @ 10 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：36 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：5.5 nC @ 4.5 V
输入电容：555 pF @ 15 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：57 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：85 nC @ 10 V
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：145 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：4V @ 260µA
栅极电荷：24 nC @ 10 V
输入电容：1080 pF @ 400 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：180 毫欧 @ 5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：540W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：320 nC @ 10 V
输入电容：10400 pF @ 25 V
连续漏极电流：40A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.2W（Ta），195W（Tc）
阈值电压：1.9V @ 250µA
栅极电荷：250 nC @ 10 V
输入电容：14000 pF @ 12 V
连续漏极电流：100A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：0.59 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：250W（Tc）
阈值电压：4V @ 200µA
栅极电荷：270 nC @ 10 V
输入电容：21900 pF @ 25 V
连续漏极电流：180A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），74W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：57 nC @ 10 V
输入电容：3900 pF @ 12 V
连续漏极电流：41A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.9 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），167W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：5126 pF @ 40 V
连续漏极电流：24A（Ta），160A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：7.2 nC @ 5 V
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：210 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2V @ 16µA
栅极电荷：5 nC @ 10 V
输入电容：410 pF @ 25 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：21 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta）
阈值电压：1.9V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 4.5 V
输入电容：2660 pF @ 12.5 V
连续漏极电流：31A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：69.4W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：53nC @ 10V
输入电容：2700pF @ 15V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：2 N 沟道（双）共漏
导通电阻：5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：147W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 4.84mA
栅极电荷：61 nC @ 15 V
输入电容：1621 pF @ 400 V
连续漏极电流：47A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：60 毫欧 @ 17.6A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2W（Ta），68.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：13.5nC @ 4.5V
输入电容：1574pF @ 25V
连续漏极电流：7A（Ta），40A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：17 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：54W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 600µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
输入电容：465 pF @ 400 V
连续漏极电流：6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：600 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：30nC @ 10V
输入电容：3030pF @ 10V
类型：2 P 沟道（双）共漏
导通电阻：36 毫欧 @ 5.7A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.109nF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
