销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA316X-800C,127
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT750P10D5
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:24A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P06M
阈值电压:3.5V
连续漏极电流:65A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TR(UMW)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT134W-800EF
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):8mA
浪涌电流(Itsm):25A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):2A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA204W-800C,135
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):10A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA312B-800C,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):95A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA212X-800B,127
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):60mA
浪涌电流(Itsm):95A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT048N10T
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0107NN,135
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJS6809_S1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:115mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G200P04D3
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACT108W-800EF
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):13A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLP(UMW)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT151S-500R,118
断态峰值电压(Vdrm):500V
通态峰值电压(Vtm):1.75V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):120A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):15mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT151S-650R,118
断态峰值电压(Vdrm):650V
通态峰值电压(Vtm):1.75V
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):120A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):15mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44NS
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA208X-1000B,127
断态峰值电压(Vdrm):1kV
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):60mA
浪涌电流(Itsm):65A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA312B-600C,118
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):95A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS6004
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: