首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    门极触发电压(Vgt)
    集电极电流(Ic)
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    当前匹配商品:4800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC430N25NSFDATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC430N25NSFDATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:36A(Tc)

    类型:N 通道

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS3036TRLPBF 起订数800个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS3036TRLPBF 起订数800个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:380W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:140 nC @ 4.5 V

    输入电容:11210 pF @ 50 V

    连续漏极电流:195A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:208W(Tc)

    阈值电压:5V @ 250µA

    栅极电荷:58 nC @ 10 V

    输入电容:1144 pF @ 100 V

    连续漏极电流:14A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:400 毫欧 @ 7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订数1个
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订数1个

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    栅极电荷:35 nC @ 10 V

    输入电容:2550 pF @ 10 V

    连续漏极电流:30A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:11 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订数1个
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订数1个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250μA

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N沟道

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRF1K50NR5 起订数1个
    NXP Mosfet场效应管 MRF1K50NR5 起订数1个

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:50V

    连续漏极电流:50V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:2.3W(Ta),65W(Tc)

    阈值电压:4V @ 30µA

    栅极电荷:38nC @ 10V

    输入电容:2950pF @ 20V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:7.6 毫欧 @ 17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 120µA

    栅极电荷:41 nC @ 10 V

    输入电容:2940 pF @ 40 V

    连续漏极电流:66A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:7 毫欧 @ 21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订数3000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订数3000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C

    功率:1.2W(Ta)

    阈值电压:1.2V @ 1mA

    栅极电荷:5.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:210 pF @ 10 V

    连续漏极电流:2A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:110 毫欧 @ 2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC70SM120JCU2 起订数1个
    Microchip Mosfet场效应管 MSC70SM120JCU2 起订数1个

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:395W(Tc)

    阈值电压:2.8V @ 1mA

    栅极电荷:232 nC @ 20 V

    输入电容:3020 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:89A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:31 毫欧 @ 40A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:71W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 35µA

    栅极电荷:60 nC @ 10 V

    输入电容:4690 pF @ 25 V

    连续漏极电流:80A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订数1个
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订数1个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:560W(Tc)

    阈值电压:3.9V @ 5mA

    栅极电荷:500 nC @ 10 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:36 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订数1个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订数1个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:5.5 nC @ 4.5 V

    输入电容:555 pF @ 15 V

    连续漏极电流:3.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:57 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:85 nC @ 10 V

    输入电容:2600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:13A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:145 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:4V @ 260µA

    栅极电荷:24 nC @ 10 V

    输入电容:1080 pF @ 400 V

    连续漏极电流:13A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:180 毫欧 @ 5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ40N50L2 起订数1个
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ40N50L2 起订数1个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:540W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:320 nC @ 10 V

    输入电容:10400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:170 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订数250个
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订数250个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),195W(Tc)

    阈值电压:1.9V @ 250µA

    栅极电荷:250 nC @ 10 V

    输入电容:14000 pF @ 12 V

    连续漏极电流:100A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.59 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N06S4H1ATMA2 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N06S4H1ATMA2 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 200µA

    栅极电荷:270 nC @ 10 V

    输入电容:21900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:180A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订数5000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订数5000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),74W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:57 nC @ 10 V

    输入电容:3900 pF @ 12 V

    连续漏极电流:41A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.9 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订数1500个
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订数1500个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),167W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:90 nC @ 10 V

    输入电容:5126 pF @ 40 V

    连续漏极电流:24A(Ta),160A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.7 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订数1个
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订数1个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:7.2 nC @ 5 V

    输入电容:750 pF @ 10 V

    连续漏极电流:2A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:210 毫欧 @ 2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C682NLWFAFT1G 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C682NLWFAFT1G 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),28W(Tc)

    阈值电压:2V @ 16µA

    栅极电荷:5 nC @ 10 V

    输入电容:410 pF @ 25 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta),25A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:21 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订数1个
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订数1个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta)

    阈值电压:1.9V @ 250µA

    栅极电荷:18 nC @ 4.5 V

    输入电容:2660 pF @ 12.5 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF00DN-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF00DN-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:69.4W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 250µA

    栅极电荷:53nC @ 10V

    输入电容:2700pF @ 15V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:2 N 沟道(双)共漏

    导通电阻:5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0045065J1 起订数1个
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0045065J1 起订数1个

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:147W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 4.84mA

    栅极电荷:61 nC @ 15 V

    输入电容:1621 pF @ 400 V

    连续漏极电流:47A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 17.6A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订数1个
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订数1个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:2W(Ta),68.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:13.5nC @ 4.5V

    输入电容:1574pF @ 25V

    连续漏极电流:7A(Ta),40A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:17 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 600µA

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    输入电容:465 pF @ 400 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB2308PZ 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMB2308PZ 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:800mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:30nC @ 10V

    输入电容:3030pF @ 10V

    类型:2 P 沟道(双)共漏

    导通电阻:36 毫欧 @ 5.7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订数1个
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订数1个

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:1.109nF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3 G 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3 G 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:136W

    阈值电压:4V@83μA

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,75A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧