品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:380W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:140 nC @ 4.5 V
输入电容:11210 pF @ 50 V
连续漏极电流:195A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 165A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:208W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:58 nC @ 10 V
输入电容:1144 pF @ 100 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:400 毫欧 @ 7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:60W(Tc)
栅极电荷:35 nC @ 10 V
输入电容:2550 pF @ 10 V
连续漏极电流:30A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:11 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:4V @ 30µA
栅极电荷:38nC @ 10V
输入电容:2950pF @ 20V
连续漏极电流:20A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:7.6 毫欧 @ 17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 120µA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2940 pF @ 40 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C
功率:1.2W(Ta)
阈值电压:1.2V @ 1mA
栅极电荷:5.1 nC @ 4.5 V
输入电容:210 pF @ 10 V
连续漏极电流:2A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:395W(Tc)
阈值电压:2.8V @ 1mA
栅极电荷:232 nC @ 20 V
输入电容:3020 pF @ 1000 V
连续漏极电流:89A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:31 毫欧 @ 40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:71W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 35µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
输入电容:4690 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:560W(Tc)
阈值电压:3.9V @ 5mA
栅极电荷:500 nC @ 10 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:36 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:5.5 nC @ 4.5 V
输入电容:555 pF @ 15 V
连续漏极电流:3.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:57 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:85 nC @ 10 V
输入电容:2600 pF @ 25 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:145 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:4V @ 260µA
栅极电荷:24 nC @ 10 V
输入电容:1080 pF @ 400 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:540W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:320 nC @ 10 V
输入电容:10400 pF @ 25 V
连续漏极电流:40A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.2W(Ta),195W(Tc)
阈值电压:1.9V @ 250µA
栅极电荷:250 nC @ 10 V
输入电容:14000 pF @ 12 V
连续漏极电流:100A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:0.59 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:250W(Tc)
阈值电压:4V @ 200µA
栅极电荷:270 nC @ 10 V
输入电容:21900 pF @ 25 V
连续漏极电流:180A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),74W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:57 nC @ 10 V
输入电容:3900 pF @ 12 V
连续漏极电流:41A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.9 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),167W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
输入电容:5126 pF @ 40 V
连续漏极电流:24A(Ta),160A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.7 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:7.2 nC @ 5 V
输入电容:750 pF @ 10 V
连续漏极电流:2A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:210 毫欧 @ 2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.5W(Ta),28W(Tc)
阈值电压:2V @ 16µA
栅极电荷:5 nC @ 10 V
输入电容:410 pF @ 25 V
连续漏极电流:8.8A(Ta),25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:21 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta)
阈值电压:1.9V @ 250µA
栅极电荷:18 nC @ 4.5 V
输入电容:2660 pF @ 12.5 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:69.4W(Tc)
阈值电压:2.1V @ 250µA
栅极电荷:53nC @ 10V
输入电容:2700pF @ 15V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:2 N 沟道(双)共漏
导通电阻:5 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:147W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 4.84mA
栅极电荷:61 nC @ 15 V
输入电容:1621 pF @ 400 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:60 毫欧 @ 17.6A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2W(Ta),68.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:13.5nC @ 4.5V
输入电容:1574pF @ 25V
连续漏极电流:7A(Ta),40A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:17 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:54W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 600µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
输入电容:465 pF @ 400 V
连续漏极电流:6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:600 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:30nC @ 10V
输入电容:3030pF @ 10V
类型:2 P 沟道(双)共漏
导通电阻:36 毫欧 @ 5.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W€53.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.109nF@40V
连续漏极电流:8.5A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:136W
阈值电压:4V@83μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,75A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: