品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:38W(Tc)
阈值电压:2V @ 11µA
栅极电荷:15.1 nC @ 10 V
输入电容:867 pF @ 40 V
连续漏极电流:28A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:18.6 nC @ 10 V
输入电容:1285 pF @ 75 V
连续漏极电流:27A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):500V
类型:1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm):1.75V
保持电流(Ih):20mA
工作温度:-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):15mA
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:6nC @ 4.5V
输入电容:340pF @ 10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:18W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:18nC @ 10V
输入电容:490pF @ 50V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:72.5 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),160W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:110 nC @ 10 V
输入电容:3600 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:2.23W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:5V @ 1mA
栅极电荷:125 nC @ 10 V
输入电容:6900 pF @ 25 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:42.7 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:特殊晶体管
销售单位:个
规格型号(MPN):IM818LCCXKMA1
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.4W
栅极电荷:13nC @ 4.5V
连续漏极电流:14A
类型:2 N 沟道(双)共漏
导通电阻:7 毫欧 @ 5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.3V @ 250µA
栅极电荷:1.3 nC @ 10 V
输入电容:51 pF @ 15 V
连续漏极电流:400mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:184W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:63 nC @ 10 V
输入电容:2557 pF @ 100 V
连续漏极电流:32A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:446W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 2.91mA
栅极电荷:234 nC @ 10 V
输入电容:11659 pF @ 400 V
连续漏极电流:106A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:32W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 390µA
栅极电荷:36 nC @ 10 V
输入电容:1503 pF @ 400 V
连续漏极电流:25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:125 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:53 nC @ 10 V
输入电容:3885 pF @ 40 V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:136W(Tc)
阈值电压:4V @ 340µA
栅极电荷:205 nC @ 10 V
输入电容:14790 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
阈值电压:2.5V @ 1mA
栅极电荷:0.93 nC @ 5 V
输入电容:105 pF @ 6 V
连续漏极电流:3.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 1.5A,5V
漏源电压:15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.3W(Ta),187W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:62 nC @ 10 V
输入电容:4065 pF @ 50 V
连续漏极电流:16A(Ta),128A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.85 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:6.8 nC @ 10 V
输入电容:155 pF @ 15 V
连续漏极电流:3.4A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:165 毫欧 @ 2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:29W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 40µA
栅极电荷:4.6 nC @ 10 V
输入电容:93 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.4 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.3W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:35 nC @ 10 V
输入电容:2100 pF @ 25 V
连续漏极电流:23A(Ta),107A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 毫欧 @ 40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:2V @ 27µA
栅极电荷:47 nC @ 10 V
输入电容:3700 pF @ 20 V
连续漏极电流:18A(Ta),85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:11nC @ 4.5V
输入电容:530pF @ 15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:90 毫欧 @ 2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C
连续漏极电流:48A
类型:N 通道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:200mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:47kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),195W(Tc)
阈值电压:3.3V @ 250µA
栅极电荷:62 nC @ 10 V
输入电容:4870 pF @ 40 V
连续漏极电流:100A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:68 nC @ 10 V
输入电容:1300 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:280 毫欧 @ 8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:150W(Tc)
阈值电压:5.7V @ 5.6mA
栅极电荷:31 nC @ 18 V
输入电容:1060 pF @ 800 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:78 毫欧 @ 13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: