采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3206TRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：T2535-800G-TR
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：50mA
浪涌电流(Itsm)：250A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86180
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：54nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：97740，"08+"：18922，"MI+"：106000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：带盒（TB）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€12.5W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6020CAKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V€36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N和P沟道
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW75NF20
工作温度：-50℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3260pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX64N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：830W
阈值电压：5.5V@8mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN815-600B-TR
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.6V
保持电流(Ih)：40mA
浪涌电流(Itsm)：70A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：8A
门极触发电流(Igt)：15mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSL020P03FRATR
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
导通电阻：80mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ980DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V€4600pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2个N通道（双），肖特基
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：90mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C001ZPTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100mA
类型：P-Channel
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOSHIBA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FV，L3F(T
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：44000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：1千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：Z00607MA 1BA2
断态峰值电压(Vdrm)：600V
保持电流(Ih)：5mA
浪涌电流(Itsm)：9A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：5mA
包装方式：散装
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP075N15N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5470pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：321000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH40T120SMD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：475ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：370nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：2.7mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
