品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.2V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP9H10S-850AVTY
功率:850W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流:7.3A€5.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:767pF@10V
连续漏极电流:8.5A€7A
类型:N和P沟道
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB110N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4510pF@75V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@92A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLC9G21LS-60AVY
功率:65V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:65V
类型:双,共源
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BBGTL1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.6V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@28A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@15V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80P03P4L04AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120090D
工作温度:-55℃~150℃
功率:97W
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:17.3nC@15V
包装方式:管件
输入电容:414pF@600V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@15A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:12A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":62,"19+":11,"20+":80}
销售单位:个
规格型号(MPN):A2T18H455W23NR6
功率:65V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:65V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.9V@134µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@75V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: