品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD516(UMW)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUCN04S7L019ATMA1
包装清单:商品主体*1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5010TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€250W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N-Channel
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD160P05TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@16A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:1.2A
类型:P-Channel
导通电阻:270mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI04031
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:63.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3910pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@51A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:375mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF510STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2C+":456000,"2D+":57000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03K4DPA-00#J5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030P03NS3GAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:3.1V@345µA
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@15V
连续漏极电流:25.4A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G18BBGC16
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4174DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N-Channel
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:2.2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2057UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.2V@250µA€1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V€536pF@10V
连续漏极电流:4A€3.3A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K29-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2436pF@25V
连续漏极电流:29.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5
工作温度:-55.0℃
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:3.7mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0060TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N-Channel
导通电阻:92mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: