包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710DR

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710DR

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372DR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710D

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710DR

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710DR

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：5000，"10+"：2500，"11+"：3821}

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372DR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~5.25V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710D

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：593，"10+"：7980}

包装规格(MPQ)：231psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372PS

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~24V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：593，"10+"：7980}

包装规格(MPQ)：231psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN75372PS

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.75V~24V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1