销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372D
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372P
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710D
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75374D
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：20ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~28V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75374D
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：20ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~28V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372D
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75374N
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：20ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~28V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"03+"：410，"08+"：13，"12+"：117，"13+"：42，"98+"：29}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372D
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710D
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75374N
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：20ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~28V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75374D
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：20ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~28V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN75372DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
