包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2956，"23+"：9000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：5832，"22+"：3869}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR516DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

栅极电荷：23.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63.7A

类型：MOSFET

导通电阻：9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：454W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：451A

类型：MOSFET

导通电阻：1.25mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R105CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：140W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：105mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C065080B3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：115W

阈值电压：4V

栅极电荷：51nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C065080B3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：115W

阈值电压：4V

栅极电荷：51nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.2A

类型：MOSFET

导通电阻：1Ω

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.2A

类型：MOSFET

导通电阻：1Ω

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS001N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：139nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：342A

类型：MOSFET

导通电阻：1.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：7980，"19+"：3391，"20+"：24592，"21+"：7158，"22+"：35865}

包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT190N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：129W

阈值电压：4V

栅极电荷：31nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：28W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：22.6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：28W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：22.6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1