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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:83W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:108 nC @ 10 V

    输入电容:4586 pF @ 30 V

    连续漏极电流:52A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:18 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订数1个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订数1个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:175°C

    功率:960mW(Ta),170W(Tc)

    阈值电压:2.1V @ 500µA

    栅极电荷:81 nC @ 10 V

    输入电容:7540 pF @ 15 V

    连续漏极电流:150A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.92 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:75W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1mA

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:40 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1 起订数5000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1 起订数5000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),48W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    输入电容:1700 pF @ 12 V

    连续漏极电流:25A(Ta),110A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订数1个
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订数1个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:230W(Tc)

    阈值电压:5V @ 100µA

    栅极电荷:60 nC @ 10 V

    输入电容:3040 pF @ 25 V

    连续漏极电流:80A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.9W(Ta),73W(Tc)

    阈值电压:2V @ 70µA

    栅极电荷:26 nC @ 10 V

    输入电容:1450 pF @ 40 V

    连续漏极电流:14.8A(Ta),64A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订数1个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:610mW(Ta),8.3W(Tc)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:10 nC @ 4.5 V

    输入电容:679 pF @ 10 V

    连续漏极电流:4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:49毫欧 @ 4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15M7160PY 起订数1个
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP15M7160PY 起订数1个

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:160W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:14nC @ 10V

    输入电容:190pF @ 15V

    连续漏极电流:3.5A,2.3A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:100 毫欧 @ 2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    输入电容:3400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:36A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:25 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订数1个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,235 起订数1个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1030UFDB-7 起订数1个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1030UFDB-7 起订数1个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:13nC@4.5V€12.2nC@4.5V

    输入电容:1.028nF@6V€1.003nF@6V

    连续漏极电流:5.1A€3.9A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:115pF@6V€254pF@6V

    导通电阻:17mΩ@4.5V,4.6A€37mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订数1个
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订数1个

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.6W(Tc)

    阈值电压:1.6V @ 1mA

    输入电容:125 pF @ 20 V

    连续漏极电流:890mA(Tj)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:391W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1.44mA

    栅极电荷:123 nC @ 10 V

    输入电容:4820 pF @ 400 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:28 毫欧 @ 28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订数1个
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP 起订数1个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:70W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:61 nC @ 10 V

    输入电容:2100 pF @ 25 V

    连续漏极电流:20A(Tj)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC010N06NM5ATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC010N06NM5ATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),214W(Tc)

    阈值电压:3.3V @ 147µA

    栅极电荷:143 nC @ 10 V

    输入电容:11000 pF @ 30 V

    连续漏极电流:39A(Ta),330A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.05 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-E3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-E3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W,1.25W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:10nC @ 5V

    连续漏极电流:5.8A,8.2A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 120µA

    栅极电荷:41 nC @ 10 V

    输入电容:2940 pF @ 40 V

    连续漏极电流:66A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:7 毫欧 @ 21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订数1个
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订数1个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:560W(Tc)

    阈值电压:3.9V @ 5mA

    栅极电荷:500 nC @ 10 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:36 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订数1个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订数1个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:5.5 nC @ 4.5 V

    输入电容:555 pF @ 15 V

    连续漏极电流:3.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:57 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:85 nC @ 10 V

    输入电容:2600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:13A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:145 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:68W(Tc)

    阈值电压:4V @ 260µA

    栅极电荷:24 nC @ 10 V

    输入电容:1080 pF @ 400 V

    连续漏极电流:13A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:180 毫欧 @ 5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订数5000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1 起订数5000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),74W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:57 nC @ 10 V

    输入电容:3900 pF @ 12 V

    连续漏极电流:41A(Ta),100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.9 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C682NLWFAFT1G 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C682NLWFAFT1G 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),28W(Tc)

    阈值电压:2V @ 16µA

    栅极电荷:5 nC @ 10 V

    输入电容:410 pF @ 25 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta),25A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:21 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0045065J1 起订数1个
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0045065J1 起订数1个

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:147W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 4.84mA

    栅极电荷:61 nC @ 15 V

    输入电容:1621 pF @ 400 V

    连续漏极电流:47A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 17.6A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3 G 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3 G 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:136W

    阈值电压:4V@83μA

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,75A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订数1个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订数1个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35.2mA

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:3.44nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订数1个
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订数1个

    品牌:onsemi

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.4V@420μA

    栅极电荷:12.5nC@4.5V

    输入电容:1.734nF@20V

    连续漏极电流:49A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:32pF@20V

    导通电阻:10mΩ@10V,15A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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