品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:83W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:108 nC @ 10 V
输入电容:4586 pF @ 30 V
连续漏极电流:52A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:175°C
功率:960mW(Ta),170W(Tc)
阈值电压:2.1V @ 500µA
栅极电荷:81 nC @ 10 V
输入电容:7540 pF @ 15 V
连续漏极电流:150A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.92 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),48W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:23 nC @ 10 V
输入电容:1700 pF @ 12 V
连续漏极电流:25A(Ta),110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:230W(Tc)
阈值电压:5V @ 100µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
输入电容:3040 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.9W(Ta),73W(Tc)
阈值电压:2V @ 70µA
栅极电荷:26 nC @ 10 V
输入电容:1450 pF @ 40 V
连续漏极电流:14.8A(Ta),64A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:610mW(Ta),8.3W(Tc)
阈值电压:1.3V @ 250µA
栅极电荷:10 nC @ 4.5 V
输入电容:679 pF @ 10 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:49毫欧 @ 4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:160W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2W
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:14nC @ 10V
输入电容:190pF @ 15V
连续漏极电流:3.5A,2.3A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:100 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:25 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:620pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:290mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.36W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V€12.2nC@4.5V
输入电容:1.028nF@6V€1.003nF@6V
连续漏极电流:5.1A€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:115pF@6V€254pF@6V
导通电阻:17mΩ@4.5V,4.6A€37mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Tc)
阈值电压:1.6V @ 1mA
输入电容:125 pF @ 20 V
连续漏极电流:890mA(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:1 欧姆 @ 1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
栅极电荷:32 nC @ 10 V
输入电容:1470 pF @ 15 V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:391W(Tc)
阈值电压:4V @ 1.44mA
栅极电荷:123 nC @ 10 V
输入电容:4820 pF @ 400 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:28 毫欧 @ 28.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:70W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:61 nC @ 10 V
输入电容:2100 pF @ 25 V
连续漏极电流:20A(Tj)
类型:P 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3W(Ta),214W(Tc)
阈值电压:3.3V @ 147µA
栅极电荷:143 nC @ 10 V
输入电容:11000 pF @ 30 V
连续漏极电流:39A(Ta),330A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.05 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W,1.25W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:10nC @ 5V
连续漏极电流:5.8A,8.2A
类型:2 个 N 通道(半桥)
导通电阻:18.5 毫欧 @ 6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 120µA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
输入电容:2940 pF @ 40 V
连续漏极电流:66A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:560W(Tc)
阈值电压:3.9V @ 5mA
栅极电荷:500 nC @ 10 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:36 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:5.5 nC @ 4.5 V
输入电容:555 pF @ 15 V
连续漏极电流:3.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:57 毫欧 @ 3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:85 nC @ 10 V
输入电容:2600 pF @ 25 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:145 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:68W(Tc)
阈值电压:4V @ 260µA
栅极电荷:24 nC @ 10 V
输入电容:1080 pF @ 400 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),74W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:57 nC @ 10 V
输入电容:3900 pF @ 12 V
连续漏极电流:41A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.9 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.5W(Ta),28W(Tc)
阈值电压:2V @ 16µA
栅极电荷:5 nC @ 10 V
输入电容:410 pF @ 25 V
连续漏极电流:8.8A(Ta),25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:21 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:147W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 4.84mA
栅极电荷:61 nC @ 15 V
输入电容:1621 pF @ 400 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:60 毫欧 @ 17.6A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:136W
阈值电压:4V@83μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,75A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35.2mA
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:3.44nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:onsemi
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:61W
阈值电压:2.4V@420μA
栅极电荷:12.5nC@4.5V
输入电容:1.734nF@20V
连续漏极电流:49A
类型:1个P沟道
反向传输电容:32pF@20V
导通电阻:10mΩ@10V,15A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: