品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D5
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT700P08T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：1.639nF@40V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D5
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D5
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN8320DT1AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：1nF@15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@15V
导通电阻：9.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G050P03S
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT700P08T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：1.639nF@40V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06T
功率：100W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
