品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT500P10K
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
销售单位:个
规格型号(MPN):30N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:66W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG30P10P
功率:180W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:26mΩ@10V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30P10D
功率:180W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:26mΩ@10V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1.562nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TR
功率:44W
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30P10D
功率:180W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:26mΩ@10V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TR
功率:44W
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250N
功率:104W
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,20A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1562pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3390J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:81.3nC@10V
输入电容:4.222nF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:448.6pF@15V
导通电阻:7.4mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货