品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G36N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：1.04nF@15V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
反向传输电容：136pF@15V
导通电阻：7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
导通电阻：95mΩ@18A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
功率：272W
漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
生产批次：{"22+"：19350，"MI+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
导通电阻：95mΩ@18A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
功率：272W
漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：25mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
功率：68W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
输入电容：3400pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：25mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
功率：68W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
输入电容：3400pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
输入电容：1145pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：83mΩ@13A，18V
连续漏极电流：36A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
导通电阻：17mΩ@18A，10V
工作温度：175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
功率：1.2W€56W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
功率：192W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：98mΩ@20A，20V
输入电容：950pF@1000V
类型：N沟道
阈值电压：4V@5mA
漏源电压：1200V
连续漏极电流：36A
栅极电荷：62nC@5V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：C3M0060065J
阈值电压：3.6V@5mA
栅极电荷：46nC@15V
类型：N沟道
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
输入电容：1020pF@600V
漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
导通电阻：79mΩ@13.2A，15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTB095N65S3HF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：95mΩ@18A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
功率：272W
漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
输入电容：2930pF@400V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
导通电阻：95mΩ@18A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
功率：272W
漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXTA36N30P
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：2250pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
阈值电压：5.5V@250µA
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
功率：300W
ECCN：EAR99
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL540NPBF
栅极电荷：74nC@5V
类型：N沟道
功率：140W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：36A
导通电阻：44mΩ@18A，10V
包装方式：管件
漏源电压：100V
输入电容：1800pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA36N20X3
阈值电压：4.5V@500µA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1425pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW90R120C3XKSA1
漏源电压：900V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：270nC@10V
功率：417W
类型：N沟道
连续漏极电流：36A
阈值电压：3.5V@2.9mA
包装方式：管件
输入电容：6800pF@100V
导通电阻：120mΩ@26A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW90R120C3XKSA1
漏源电压：900V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：270nC@10V
功率：417W
类型：N沟道
连续漏极电流：36A
阈值电压：3.5V@2.9mA
包装方式：管件
输入电容：6800pF@100V
导通电阻：120mΩ@26A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF540ZPBF
导通电阻：26.5mΩ@22A，10V
功率：92W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1770pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
阈值电压：4.5V@250µA
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
输入电容：3100pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
栅极电荷：55nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH070N60EF-T1GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：36A
功率：202W
漏源电压：600V
输入电容：2647pF@100V
导通电阻：71mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL540NPBF
栅极电荷：74nC@5V
类型：N沟道
功率：140W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：36A
导通电阻：44mΩ@18A，10V
包装方式：管件
漏源电压：100V
输入电容：1800pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
